[發明專利]半導體器件以及形成半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201810816627.2
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN110707076B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發明（設計）人: 鹿內洋志;鷲谷哲;田中雄季;韋寧
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/52
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

本發明實施例提供一種半導體器件以及形成半導體器件的方法。該半導體器件包括：單極性部件，該單極性部件至少包括：外延層；過渡層，該過渡層連接到該外延層；以及旁路部件，該旁路部件連接到該過渡層；其中，該單極性部件和該旁路部件并聯，并且該過渡層配置在該單極性部件與該旁路部件之間。

技術領域

本發明實施例總體上涉及半導體領域，尤其涉及一種半導體器件以及形成半導體器件的方法。

背景技術

為了提供具有高可靠性并能夠減少導通電阻的增加的半導體器件，單極性化合物半導體元件(unipolar compound semiconductor element)被配置為與旁路(或者稱為旁通)半導體元件(bypass semiconductor element)并聯。

圖1是現有技術中的單極性化合物半導體元件101和旁路半導體元件102的示意圖。如圖1所示，單極性化合物半導體元件101通過外部線路L連接到旁路半導體元件102。

參考文獻1：US2013/0069082A1.

本節的內容引入了多個方面，這些方面是為了對本發明實施例更好的理解。因此，應在此方面閱讀本節的陳述，且不應該理解為是對哪些是現有技術或哪些不是現有技術的認可。

發明內容

然而，發明人發現，單極性化合物半導體元件101和旁路半導體元件102被單獨配置并且通過外部線路連接，這樣就使得組合面積(或組裝面積或集成面積)變大，而且還存在產生熱量的問題。

為了至少解決上述這些問題中的一部分，本發明實施例提供方法、裝置和器件。結合附圖閱讀下面對具體實施例的描述，應該能夠理解本發明實施例的特征和優點，這些具體實施例通過實例描述了本發明實施例的原理。

總體上來講，本發明實施例提供了一種半導體器件以及形成半導體器件的方法。期望減小組合區域并同時減少熱量的產生。

根據本發明實施例的第一方面，提供一種半導體器件，包括：單極性部件，該單極性部件至少包括外延層；過渡層，該過渡層連接到該外延層；以及旁路部件，該旁路部件連接到該過渡層；該單極性部件和該旁路部件并聯，并且該過渡層配置在該單極性部件與該旁路部件之間。

在一個實施例中，該半導體器件還包括：基板，該外延層配置在該基板上。

在一個實施例中，該旁路部件為垂直類型的元件。

在一個實施例中，該半導體器件還包括：第一電極，該第一電極配置在該單極性部件和該旁路部件的第一面上；以及第二電極，該第二電極配置在該單極性部件和該旁路部件的第二面上；該單極性部件的源極通過該第一電極連接到該旁路部件的陽極，并且該單極性部件的漏極通過該第二電極連接到該旁路部件的陰極。

在一個實施例中，該旁路部件為水平類型的元件。

在一個實施例中，該半導體器件還包括：第一電極，該第一電極配置在該單極性部件和該旁路部件的第一面上；第二電極，該第二電極配置在該旁路部件的第一面上；以及第三電極，該第三電極配置在該單極性部件和該旁路部件的第二面上；該單極性部件的源極通過該第一電極連接到該旁路部件的陽極，并且該單極性部件的漏極通過該第二電極和第三電極連接到該旁路部件的陰極。

在一個實施例中，至少一個旁路部件配置在該單極性部件的至少一個側面周圍。

在一個實施例中，該旁路部件包括硅材料，并且該過渡層包括碳化硅材料。

在一個實施例中，在該單極性部件一側所述過渡層中的碳化物的濃度高于在該旁路部件一側所述過渡層中的碳化物的濃度。

在一個實施例中，該旁路部件包括氮化鎵(GaN)材料，并且該過渡層包括銦鋁鎵氮化物(InAlGaN)材料。