[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件以及形成半導(dǎo)體器件的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810816627.2
• 申請日: 2018-07-24
• 公開（公告）號: CN110707076B
• 公開（公告）日: 2023-03-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鹿內(nèi)洋志;鷲谷哲;田中雄季;韋寧
• 申請（專利權(quán)）人: 三墾電氣株式會社
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/52
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

單極性部件，所述單極性部件至少包括外延層；

過渡層，所述過渡層連接到所述外延層；以及

旁路部件，所述旁路部件連接到所述過渡層；

其中，所述單極性部件和所述旁路部件并聯(lián)，并且所述過渡層配置在所述單極性部件與所述旁路部件之間，

其中，所述旁路部件包括硅材料，并且所述過渡層包括碳化硅材料；

在所述單極性部件一側(cè)所述過渡層中的碳化物的濃度高于在所述旁路部件一側(cè)所述過渡層中的碳化物的濃度，

或者，

所述旁路部件包括氮化鎵材料，并且所述過渡層包括銦鋁鎵氮化物材料；

在所述單極性部件一側(cè)所述過渡層中的鎵的濃度低于在所述旁路部件一側(cè)所述過渡層中的鎵的濃度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件還包括：

基板，所述外延層配置在所述基板上。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述旁路部件為垂直類型的元件；所述半導(dǎo)體器件還包括：

第一電極，所述第一電極配置在所述單極性部件和所述旁路部件的第一面上；以及

第二電極，所述第二電極配置在所述單極性部件和所述旁路部件的第二面上；

其中，所述單極性部件的源極通過所述第一電極連接到所述旁路部件的陽極，并且所述單極性部件的漏極通過所述第二電極連接到所述旁路部件的陰極。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述旁路部件為水平類型的元件；所述半導(dǎo)體器件還包括：

第一電極，所述第一電極配置在所述單極性部件和所述旁路部件的第一面上；

第二電極，所述第二電極配置在所述旁路部件的第一面上；以及

第三電極，所述第三電極配置在所述單極性部件和所述旁路部件的第二面上；

其中，所述單極性部件的源極通過所述第一電極連接到所述旁路部件的陽極，并且所述單極性部件的漏極通過所述第二電極和第三電極連接到所述旁路部件的陰極。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，至少一個所述旁路部件配置在所述單極性部件的至少一個側(cè)面周圍。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述過渡層包括多層結(jié)構(gòu)。

7.一種形成半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供單極性部件，所述單極性部件至少包括外延層；

提供過渡層，所述過渡層連接到所述外延層；以及

提供旁路部件，所述旁路部件連接到所述過渡層；

其中，所述單極性部件和所述旁路部件并聯(lián)，并且所述過渡層配置在所述單極性部件與所述旁路部件之間，

其中，所述旁路部件包括硅材料，并且所述過渡層包括碳化硅材料；

在所述單極性部件一側(cè)所述過渡層中的碳化物的濃度高于在所述旁路部件一側(cè)所述過渡層中的碳化物的濃度，

或者，

所述旁路部件包括氮化鎵材料，并且所述過渡層包括銦鋁鎵氮化物材料；

在所述單極性部件一側(cè)所述過渡層中的鎵的濃度低于在所述旁路部件一側(cè)所述過渡層中的鎵的濃度。

8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述方法還包括：

提供基板，所述外延層配置在所述基板上。