[發明專利]CMP固定環清洗方法

在審

• 申請號: 201810814415.0
• 申請日: 2018-07-23
• 公開（公告）號: CN108857856A
• 公開（公告）日: 2018-11-23
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;王學澤;李力平
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: B24B37/00
• 分類號: B24B37/00;B24B37/34
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 李佳

一種CMP固定環清洗方法，屬于清洗方法領域。該CMP固定環清洗方法包括以下步驟：將CMP固定環投入具有油污清洗劑的水中清洗，隨后用水漂洗；其中，所述油污清洗劑選自于氨基酸型兩性表面活性劑、甜菜堿型兩性表面活性劑中的至少一種。本發明提供的CMP固定環清洗方法可以有效的去除CMP固定環表面的油脂和雜質，避免使用CMP固定環研磨晶圓時造成劃痕、油污影響質量。

技術領域

本發明涉及清洗方法領域，具體而言，涉及一種CMP固定環清洗方法。

背景技術

化學機械研磨(Chemica Mechanical Polishing，CMP)是半導體器件制造中使用的重要工藝。化學機械研磨就是把晶圓放在旋轉的研磨墊上，并施加一定的壓力后用化學研磨液來進行化學和機械研磨以實現晶圓全局平坦化的工藝方法。在CMP作業過程中需要使用固定環(retaining ring)來固定硅片以便于進行研磨作業，這就要求CMP固定環的表面具有很高的潔凈度，當CMP固定環的表面具有劃傷、毛刺、油污時會對在研磨過程中對晶圓造成損傷，因此在作業前需要對固定環的表面進行清潔處理，目前現有的CMP固定環清洗方法是使用水進行清洗，這并不能很好的保證CMP固定環表面的潔凈程度，導致晶圓質量不穩定。

因此，需要提供一種新的CMP固定環的清洗方法以便于提供所需的固定環潔凈程度。

發明內容

本發明的目的在于提供一種CMP固定環清洗方法，其能夠有效的去除CMP固定環表面的油脂和雜質，避免使用CMP固定環研磨晶圓時造成劃痕、油污影響質量。

本發明的實施例是這樣實現的：

一種CMP固定環清洗方法，其包括以下步驟：將CMP固定環投入具有油污清洗劑的水中清洗，隨后用水漂洗；

其中，油污清洗劑選自于氨基酸型兩性表面活性劑、甜菜堿型兩性表面活性劑中的至少一種。

在本發明較佳的實施例中，上述氨基酸型兩性表面活性劑選自于N-十二烷基丙氨酸、十二烷基氨基丙酸鈉和N-酰基氨基酸鈉組成的組合中的一種。

在本發明較佳的實施例中，上述甜菜堿型兩性表面活性劑選自于α-烷基甜菜堿、椰油酰胺丙基甜菜堿、十二烷基磺基甜菜堿組成的組合中的一種。

在本發明較佳的實施例中，上述清洗的時間為4.5-5.5min。

在本發明較佳的實施例中，上述清洗的水溫為58.5-61.5℃；優選的，清洗的水溫為59.5-60.5℃。

在本發明較佳的實施例中，上述漂洗的時間為3-6min。

在本發明較佳的實施例中，上述漂洗的水溫為40-60.5℃；優選的，漂洗的水溫為55-60.5℃。

在本發明較佳的實施例中，上述具有油污清洗劑的水中的油污清洗劑的質量百分比為0.1％-6％；優選的，具有油污清洗劑的水中的油污清洗劑的質量百分比為0.5-3％。

在本發明較佳的實施例中，上述將CMP固定環投入以200-700r/min旋轉的具有油污清洗劑的水中進行清洗；優選的，將CMP固定環投入以300-600r/min旋轉的具有油污清洗劑的水中進行清洗。

在本發明較佳的實施例中，上述將CMP固定環投入以50-500r/min旋轉的水中進行漂洗；優選的，將CMP固定環投入以100-200r/min旋轉的水中進行漂洗。

本發明實施例的有益效果是：本發明實施例提供的CMP固定環清洗方法包括以下步驟：將CMP固定環投入具有油污清洗劑的水中清洗，隨后用水漂洗；其中，油污清洗劑選自于氨基酸型兩性表面活性劑、甜菜堿型兩性表面活性劑中的至少一種。本發明提供的CMP固定環清洗方法可以有效的去除CMP固定環表面的油脂和雜質，避免使用CMP固定環固定晶圓時造成劃痕、油污影響質量。