[發明專利]一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法在審
| 申請號: | 201810814335.5 | 申請日: | 2018-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN110828582A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發明(設計)人: | 張德忠;王雪戈 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽電池 增透減反 薄膜 處理 方法 | ||
1.一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法,其特征在于,其包括以下步驟:S1:將鍍有增透減反薄膜的基底放入鹽溶液中浸泡;S2:將浸泡過的基底高溫煅燒。
2.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述鹽溶液選自氯化鈉、氯化鉀、硝酸鈉、硝酸鉀、氯化鋅、硝酸鋅、硫酸鉀、硫酸鈉或硫酸鋅中的一種或幾種。
3.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述鹽溶液的濃度為1-10%wt,優選為5-10%wt。
4.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述步驟S1中浸泡時間為24-96小時,優選為24-72小時。
5.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述步驟S2的煅燒溫度為600-650攝氏度。
6.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述增透減反薄膜為二氧化硅納米顆粒薄膜。
7.根據權利要求6所述的后處理方法,其特征在于,所述二氧化硅納米顆粒薄膜采用提拉鍍膜法制備。
8.根據權利要求6所述的后處理方法,其特征在于,所述二氧化硅納米顆粒薄膜利用有機硅前驅體,在有機溶劑中制備。
9.根據權利要求6所述的后處理方法,其特征在于,所述二氧化硅納米顆粒薄膜利用水溶性分散的二氧化硅納米顆粒,加入酸或堿溶液調節pH值,在表面活性劑以及交聯劑作用下制備。
10.根據權利要求1所述的后處理方法,其特征在于,所述基底為浮法玻璃。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





