[發(fā)明專利]一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810814335.5 | 申請日: | 2018-07-23 |
| 公開(公告)號: | CN110828582A | 公開(公告)日: | 2020-02-21 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張德忠;王雪戈 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18;B82Y30/00 |
| 代理公司: | 北京風雅頌專利代理有限公司 11403 | 代理人: | 李莎 |
| 地址: | 100176 北京市大興區(qū)北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 太陽電池 增透減反 薄膜 處理 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法,其包括以下步驟:S1:將鍍有增透減反薄膜的基底放入鹽溶液中浸泡;S2:將浸泡過的基底高溫煅燒。本發(fā)明的后處理方法對增透減反薄膜進行優(yōu)化處理,優(yōu)化薄膜結構,提高透過率,方法簡單,具有普適性。
技術領域
本發(fā)明涉及薄膜制備技術領域,特別是指一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法。
背景技術
隨著太陽能電池的廣泛使用,太陽電池的增透減反薄膜的鍍膜技術也在不斷的發(fā)展。現有技術中鍍膜的方法主要如下:1)通過有機硅前驅體,在乙醇等有機溶劑中,通過溶膠凝膠的方法,以酸堿為催化劑,制備二氧化硅納米顆粒減反涂層;2)通過水溶性分散的二氧化硅納米顆粒,加入酸或堿溶液調節(jié)PH值,在表面活性劑以及交聯劑等成分作用下制備減反涂層。
然而,當溶液配好后,其對玻璃或者其他基質透過率提升為固定單一數值,在使用過程中,需要不斷優(yōu)化濃度以及其他鍍膜參數,才有可能達到最佳的增透效果,因此大量的研究集中于對溶液種類、濃度和其它鍍膜參數的調整,以期待獲得高透過率的增透減反薄膜,但是缺少對鍍膜后的增透減反薄膜進一步優(yōu)化處理的方法研究。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提出一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法,通過對鍍膜后得到的增透減反薄膜進行后處理優(yōu)化薄膜的結構,提升透過率。
基于上述目的本發(fā)明提供一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法,其包括以下步驟:S1:將鍍有增透減反薄膜的基底放入鹽溶液中浸泡;S2:將浸泡過的基底高溫煅燒。
進一步的,所述鹽溶液選自氯化鈉、氯化鉀、硝酸鈉、硝酸鉀、氯化鋅、硝酸鋅、硫酸鉀、硫酸鈉或硫酸鋅中的一種或幾種。
進一步的,所述鹽溶液的濃度為1-10%wt,優(yōu)選為5-10%wt。
進一步的,所述步驟S1中浸泡時間為24-96小時,優(yōu)選為24-72小時。
進一步的,所述步驟S2的煅燒溫度為600-650攝氏度。
進一步的,所述增透減反薄膜為二氧化硅納米顆粒薄膜。
進一步的,所述二氧化硅納米顆粒薄膜采用提拉鍍膜法制備。
進一步的,所述二氧化硅納米顆粒薄膜利用有機硅前驅體,在有機溶劑中制備。
進一步的,所述二氧化硅納米顆粒薄膜利用水溶性分散的二氧化硅納米顆粒,加入酸或堿溶液調節(jié)pH值,在表面活性劑以及交聯劑作用下制備。
進一步的,所述基底為浮法玻璃。
從上面所述可以看出,本發(fā)明提供的一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法,對鍍膜獲得的增透減反薄膜進行優(yōu)化處理,經鹽溶液浸泡后高溫煅燒,優(yōu)化薄膜結構,提高透過率。
本發(fā)明提供的方法簡單,具有普適性,對目前市場主流的兩種增透減反鍍膜溶液(有機溶液相和水相)均具有明顯的優(yōu)化增透效果。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白,以下結合具體實施例,對本發(fā)明進一步詳細說明。
本發(fā)明提供一種用于太陽電池的增透減反薄膜的后處理方法,其包括以下步驟:S1:將鍍有增透減反薄膜的基底放入鹽溶液中浸泡;S2:將浸泡過的基底高溫煅燒。本后處理方法優(yōu)化薄膜結構,提高透過率,步驟少,容易實現,便于產業(yè)應用。
在本發(fā)明的一些實施例中,步驟S1中的鹽溶液選自氯化鈉、氯化鉀、硝酸鈉、硝酸鉀、氯化鋅、硝酸鋅、硫酸鉀、硫酸鈉或硫酸鋅中的一種或幾種。
在本發(fā)明的一些實施例中,步驟S1中的鹽溶液濃度優(yōu)選為1-10%wt,優(yōu)選為5-10%wt。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





