[發明專利]一種像素電路、像素電路的衰退補償方法及顯示屏

有效

• 申請號: 201810804779.0
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN108682387B
• 公開（公告）日: 2020-03-20
• 發明（設計）人: 孫麗娜;田琪
• 申請（專利權）人: 深圳吉迪思電子科技有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208
• 代理公司: 蘇州集律知識產權代理事務所(普通合伙) 32269
• 代理人: 安紀平

本發明揭示了一種像素電路、像素電路的衰退補償方法及顯示屏，屬于顯示技術領域。像素電路包括第一開關晶體管、電容、驅動晶體管、發光器件，以及電壓差獲取電路；在差值提取階段電壓差獲取電路獲取發光器件的導通電壓差，并存儲在電容上；在數據寫入階段，將導通電壓差疊加至數據電壓上；在發光階段，驅動晶體管驅動發光二極管發光。本發明有效解決了發光器件衰退引起的亮度降低的問題，且具有減小像素電路面積的優點，適用于高分辨率顯示結構，如硅基OLED顯示屏。

技術領域

本發明涉及一種顯示技術領域，尤其是涉及一種能夠對發光器件的衰退進行補償的像素電路、像素電路的衰退補償方法及顯示屏。

背景技術

OLED顯示屏具有自發光、廣視角、對比度高、耗電低、響應快的特點，隨著OLED顯示技術的不斷發展，OLED顯示屏被廣泛應用于手機、電腦等等。如圖1所示，一個應用于OLED顯示屏的典型電流驅動型像素電路，被配置在以行方向排列來供應控制信號的掃描線與以列方向排列來供應數據信號的數據線相互交叉之處，其包括驅動晶體管T、開關晶體管SW、電容Cs′，以及發光器件OLED′，其中，驅動晶體管T為PMOS管。驅動晶體管T在發光期間根據電容Cs所保留的輸入電壓供應輸出電流，而輸出電流取決于驅動晶體管T的溝道區域中載流子遷移率μ和閾值電壓Vth，表達式如下所示：

I_oled＝(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)²(1+λVds) (1)

其中，I_oled表示供應給發光器件OLED′的輸出電流，Vgs表示柵極電壓，Vth表示閾值電壓，μ表示溝道遷移率，W表示溝道寬度，L表示溝道長度，Cox表示單位面積的柵極電容。

由公式1可知，輸出電流I_oled還受Vds的影響。在圖1所示的像素電路中，Vds＝Vavdd-Va。當發光器件OLED′導通電壓增大后，即Va增大，Vavdd為一固定電壓，因此，Vds減小，導致輸出電流I_oled發生改變，發光器件OLED′的發光亮度降低。

由公式1還可知，輸出電流I_oled還受Vgs的影響。在圖1所示的像素電路中Vgs＝Vdata-Vavdd。由于驅動晶體管T的源極連接一固定電壓Vavdd，所以柵極電壓Vgs受電容Cs存儲的電壓Vdata的影響。隨著分辨率的提高，每個像素的面積減小，電容的電容量也隨之減小，開關漏電流的影響會增加，在一幀時間內，柵極電壓Vgs因漏電而變化，最終導致輸出電流I_oled發生改變，影響發光器件OLED′的發光亮度。

另外，發光器件OLED′正常發光時，需要保證驅動晶體管T工作在飽和區，則需要W/L很小。然而即使W設置為最小寬度，則L也會變得長，導致驅動晶體管T的面積增大，最終限制了像素電路面積的縮小。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供一種能夠對發光器件的衰退進行補償，并使像素電路面積減小的像素電路、像素電路的衰退補償方法及顯示屏。

為實現上述目的，本發明提出如下技術方案：一種像素電路，其特征在于，包括第一開關晶體管、電容、驅動晶體管、發光器件，以及電壓差獲取電路，所述第一開關晶體管、電容和驅動晶體管的柵極串聯連接，且所述電容連接在第一開關晶體管和驅動晶體管的柵極之間，所述第一開關晶體管還連接一數據線，所述驅動晶體管的源極連接所述發光器件；所述像素電路顯示圖像的過程包括差值提取階段、數據寫入階段和發光階段，其中，

所述電壓差獲取電路在差值提取階段獲取所述發光器件的導通電壓差并將所述導通電壓差存儲在所述電容中，所述第一開關晶體管在數據寫入階段將所述數據線上的數據電壓導通至所述電容中，使所述驅動晶體管的柵極電壓為導通電壓差與數據電壓之和，所述驅動晶體管在發光階段驅動所述發光器件發光。

優選地，所述電壓差獲取電路包括