[發明專利]一種像素電路、像素電路的衰退補償方法及顯示屏有效
| 申請號: | 201810804779.0 | 申請日: | 2018-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN108682387B | 公開(公告)日: | 2020-03-20 |
| 發明(設計)人: | 孫麗娜;田琪 | 申請(專利權)人: | 深圳吉迪思電子科技有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208 |
| 代理公司: | 蘇州集律知識產權代理事務所(普通合伙) 32269 | 代理人: | 安紀平 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 電路 衰退 補償 方法 顯示屏 | ||
1.一種像素電路,其特征在于,包括第一開關晶體管、電容、驅動晶體管、發光器件,以及電壓差獲取電路,所述第一開關晶體管、電容和驅動晶體管的柵極串聯連接,且所述電容連接在第一開關晶體管和驅動晶體管的柵極之間,所述第一開關晶體管還連接一數據線,所述驅動晶體管的源極連接所述發光器件,所述第一開關晶體管選自PMOS管、NMOS管中的一種,所述驅動晶體管為耗盡型晶體管或增強型晶體管;所述像素電路顯示圖像的過程包括差值提取階段、數據寫入階段和發光階段,其中,
所述電壓差獲取電路在差值提取階段獲取所述發光器件的導通電壓差并將所述導通電壓差存儲在所述電容中,所述第一開關晶體管在數據寫入階段將所述數據線上的數據電壓導通至所述電容中,使所述驅動晶體管的柵極電壓為導通電壓差與數據電壓之和,所述驅動晶體管在發光階段驅動所述發光器件發光;
所述電壓差獲取電路包括
第二開關晶體管,所述第二開關晶體管的一端連接一用于提供參考電流的電流源,另一端連接所述驅動晶體管的源極與所述發光器件的中間節點,用于在差值提取階段使參考電流流過發光器件;
第三開關晶體管,所述第三開關晶體管的一端連接一用于存儲第一導通電壓的存儲模塊,另一端連接所述第一開關晶體管與所述電容的中間節點,用于在差值提取階段使第一導通電壓輸入至所述電容中,所述第一導通電壓為在產品終測階段時使相同的參考電流流過發光器件所獲得發光器件的導通電壓;以及
第四開關晶體管,所述第四開關晶體管的一端連接所述驅動晶體管與所述發光器件的中間節點,另一端連接所述電容與所述驅動晶體管的中間節點,用于在差值提取階段獲取發光器件的第二導通電壓并輸入至所述電容中。
2.一種基于權利要求1所述像素電路的衰退補償方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1,獲取發光器件的第一導通電壓,所述第一導通電壓為在產品終測階段時使相同的參考電流流過發光器件所獲得發光器件的導通電壓;
步驟S2,在差值提取階段,使參考電流流過發光器件,并獲取發光器件的第二導通電壓,同時根據所述第一導通電壓和第二導通電壓獲得導通電壓差,并將所述導通電壓差存儲在電容中;
步驟S3,在數據寫入階段,第一開關晶體管將數據線上的數據電壓導通至電容中,使驅動晶體管的柵極電壓為導通電壓差與數據電壓之和,所述第一開關晶體管選自PMOS管、NMOS管中的一種,所述驅動晶體管為耗盡型晶體管或增強型晶體管;以及
步驟S4,在發光階段,驅動晶體管驅動發光器件發光。
3.一種顯示屏,其特征在于,包括權利要求1所述的像素電路。
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