[發明專利]動態隨機存取存儲器及其操作方法

有效

• 申請號: 201810803951.0
• 申請日: 2018-07-20
• 公開（公告）號: CN109859789B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 李忠勛;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種動態隨機存取存儲存儲器(dynamic random access memory，DRAM)，包括：

一存儲存儲器陣列，包括：

一更新單元，包括：

一第一存儲胞，經配置以存儲數據；以及

一第二存儲胞，經配置以經由與該第一存儲胞一同被程序化而具有一存儲電能，

其中，該第一存儲胞和該第二存儲胞可由該存儲存儲器陣列的同一列控制；以及

一控制元件，經配置以當該第二存儲胞的該存儲電能變得低于一臨界電能時，將該更新單元的一更新率增加到一第一更新率，其中，該臨界電能高于一標準電能，該標準電能用于判斷二進制邏輯。

2.如權利要求1所述的DRAM，其中，該控制元件經配置以在增加該更新率之后不再降低該更新率。

3.如權利要求1所述的DRAM，其中，該更新單元的一存儲胞的數量正相關于該更新率，該存儲胞的該存儲電能變的低于該臨界電能。

4.如權利要求1所述的DRAM，其中該存儲電能被降低一降低程度，其中，該降低程度與該更新率成正相關。

5.如權利要求1所述的DRAM，還包括：

一觀測元件，經配置以監測由于該第二存儲胞的劣化而導致的該第二存儲胞的該存儲電能的減少。

6.如權利要求1所述的DRAM，其中，該控制元件經配置以當該第二存儲胞的一電壓電平變得低于一臨界電壓電平時，將該更新率增加到該第一更新率，其中，該臨界電壓電平高于一標準電壓電平，該標準電壓電平用于判斷二進制邏輯。

7.如權利要求6所述的DRAM，其中，該臨界電壓電平是一第一臨界電壓電平，

其中，該控制元件經配置以當該電壓電平變得低于該第一臨界電壓電平和一第二臨界電壓電平時，將該更新率從該第一更新率增加至一第二更新率，

其中，該第二臨界電壓電平低于該第一臨界電壓電平并高于該標準電壓電平。

8.如權利要求1所述的DRAM，其中，該控制元件經配置以當來自該第二存儲胞的一漏電流的一量值變得高于一臨界量值時，將該更新率增加到該第一更新率。

9.如權利要求8所述的DRAM，其中，該臨界量值是一第一臨界量值，

其中，該控制元件經配置以當該量值變得高于該第一臨界量值及一第二臨界量值時，將該更新率從該第一更新率增加到一第二更新率，

其中，該第二臨界量值高于該第一臨界量值。

10.如權利要求1所述的DRAM，其中該更新單元還包括一第三存儲胞，

其中，該控制元件經配置以當該第二存儲胞的該存儲電能變得低于該臨界電能時并且當該第三存儲胞的一存儲電能高于該臨界電能時，將該更新率增加到該第一更新率。

11.如權利要求10所述的DRAM，其中，該控制元件經配置以當該第二存儲胞的該存儲電能和該第三存儲胞的該存儲電能均變得低于該臨界電能時，將該更新率從該第一更新率增加到一第二更新率。

12.如權利要求11所述的DRAM，其中，該控制元件經配置以當該第二存儲胞的一電壓電平變得低于一臨界電壓電平時并且當該第三存儲胞的一電壓電平高于臨界電壓電平時，將該更新率增加到該第一更新率，

其中，該臨界電壓電平高于一標準電壓電平，該標準電壓電平用于判斷二進制邏輯。

13.如權利要求12所述的DRAM，其中，該控制元件經配置以當該第二存儲胞的該電壓電平和該第三存儲胞的該電壓電平均變得低于該臨界電壓電平時，將該更新率從該第一更新率增加到該第二更新率。