[發(fā)明專利]微型發(fā)光元件及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810801693.2
• 申請(qǐng)日: 2018-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN110739380B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡百揚(yáng);陳飛宏;史詒君
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 錼創(chuàng)顯示科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L25/075;G09F9/33
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種微型發(fā)光元件，其特征在于，包括：

元件層，包括本體和配置于所述本體上的凸起結(jié)構(gòu)，所述本體具有表面；

第一電極，電性連接所述元件層；以及

第二電極，電性連接所述元件層，其中所述第一電極、所述凸起結(jié)構(gòu)以及所述第二電極設(shè)置于所述本體的同一側(cè)，其中所述凸起結(jié)構(gòu)位于所述第一電極與所述第二電極之間，且所述第一電極與所述第二電極的連線通過所述凸起結(jié)構(gòu)，

其中所述凸起結(jié)構(gòu)于所述表面具有第一高度，所述第一電極與所述第二電極的任一于所述表面具有第二高度，所述第一高度為H1，所述第二高度為H2，且0.8≤H1/H2≤1.2，

其中所述凸起結(jié)構(gòu)的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)1，所述第一電極與所述第二電極的間距為S1，且0.8≤L1/S1≤1。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述元件層的最大長(zhǎng)度為L(zhǎng)2，且L1/L2≤0.8。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述第一高度小于所述第二高度，且(H2-H1)/H1≤0.2。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述第一高度大于所述第二高度，且(H1-H2)/H1≤0.2。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述元件層的厚度為H3，且0.01≤H1/H3≤0.95。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述元件層具有相對(duì)的兩側(cè)緣，且所述兩側(cè)緣的間距為S2，所述凸起結(jié)構(gòu)與所述兩側(cè)緣的任一的最短間距為S3，且0.01≤S3/S2≤0.2。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述凸起結(jié)構(gòu)在所述本體的所述表面上的正投影面積與所述本體的所述表面的表面積的比值小于等于0.8。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述本體包括：

第一型半導(dǎo)體層；

發(fā)光層，設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層上；以及

第二型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述發(fā)光層上，其中所述凸起結(jié)構(gòu)連接所述第二型半導(dǎo)體層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述元件層包括：

第一型半導(dǎo)體層；

發(fā)光層，設(shè)置于所述第一型半導(dǎo)體層上；以及

第二型半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述發(fā)光層上，其中所述凸起結(jié)構(gòu)包括至少部分所述第二型半導(dǎo)體層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微型發(fā)光元件，其中所述凸起結(jié)構(gòu)包括所述第二型半導(dǎo)體層、所述發(fā)光層與部分所述第一型半導(dǎo)體層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微型發(fā)光元件，還包括：

絕緣層，局部覆蓋所述第一型半導(dǎo)體層與所述凸起結(jié)構(gòu)；以及

導(dǎo)電層，設(shè)置于所述絕緣層上，并連接所述凸起結(jié)構(gòu)中暴露于所述絕緣層外的所述第二型半導(dǎo)體層，

其中所述第二電極連接所述導(dǎo)電層，且所述第一電極連接所述第一型半導(dǎo)體層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微型發(fā)光元件，其中所述第一電極與所述第二電極具有不同電性。