[發(fā)明專利]集成埋入式柔性電子元器件的制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810801254.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108963074A | 公開(公告)日: | 2018-12-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李能彬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 李能彬 |
| 主分類號(hào): | H01L49/02 | 分類號(hào): | H01L49/02;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361000 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柔性電子器件 制備 蝕刻 柔性電子 埋入式 元器件 空間結(jié)構(gòu)參數(shù) 柔性基底 集成電路 | ||
本發(fā)明公開了一種集成埋入式柔性電子元器件的制備方法,該方法包括:依據(jù)柔性電子器件的空間結(jié)構(gòu)參數(shù)在柔性基底上蝕刻出所述柔性電子器件。該方法依據(jù)不同的柔性電子器件的空間結(jié)構(gòu)參數(shù),按照柔性電子器件的高度由高至低的順序依次在柔性基底上蝕刻出所述柔性電子器件。從而能夠?qū)Σ煌愋偷娜嵝噪娮悠骷挝g刻,以及可以實(shí)現(xiàn)柔性電子器件集成電路的整體制備,顯著提升了柔性電子器件的制備效率,尤其適合制備埋入式柔性電子元器件。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,具體涉及一種集成埋入式柔性電子元器件的制備方法。
背景技術(shù)
隨著電子技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體制程進(jìn)入10納米的生產(chǎn)工藝,主動(dòng)式電子元件的集成度隨之大幅提升,隨著電子產(chǎn)品設(shè)備外形尺寸的小型化輕薄化和多功能化發(fā)展的要求,在電路板上相對(duì)應(yīng)搭配主動(dòng)元件的電子器件電阻.電容.電感等需求量更是大幅增長,目前已經(jīng)成為制約電子產(chǎn)品設(shè)備小型化輕薄化的一個(gè)關(guān)鍵因素。如在典型的電路板生產(chǎn)中,做為電子電路基本要素且價(jià)格比不足3%的電子器件電阻、電容、電感等占據(jù)了電路板40%以上的空間,隨著半導(dǎo)體制程能力的提升,使相同體積內(nèi)的主動(dòng)元件數(shù)大增,與其配套的電子器件數(shù)量大幅增加外,如何在有限的電路板面積上提高電子器件的數(shù)量,最大化提高電子器件的集中度,并改善電子產(chǎn)品的電磁干擾特性,從成本角度來看,總成本與電子器件數(shù)量成正比關(guān)系,因此在大量電子器件使用的前提下,如何去降低電子器件的成本及空間,甚至提高電子器件的性能,是當(dāng)前最重要的課題之一。
蝕刻電子器件是利用化學(xué)感光材料的光敏特性,在基體金屬基片兩面均勻涂敷感光材料采用光刻方法,將膠膜板上柵網(wǎng)產(chǎn)顯形狀精確地復(fù)制到金屬基片兩面的感光層掩膜上通過顯影去除未感光部分的掩膜,將裸露的金屬部分在后續(xù)的加工中與腐蝕液直接噴壓接觸而被蝕除,最終獲取所需的幾何形狀及高精度尺寸的電子器件。
目前,蝕刻電子器件的制備方法大都是針對(duì)某一特定類型的電子器件進(jìn)行批量制作。當(dāng)需要不同的電子器件時(shí),需要分別對(duì)不同的電子器件進(jìn)行制作,程序復(fù)雜,制備周期長。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種柔性電子器件蝕刻制備方法,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)不同類型的柔性電子器件同批次蝕刻,以及可以實(shí)現(xiàn)柔性電子器件集成電路的整體制備,顯著提升了柔性電子器件的制備效率。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題的所采用的技術(shù)方案是:
集成埋入式柔性電子元器件的制備方法,該方法包括:依據(jù)柔性電子器件的空間結(jié)構(gòu)參數(shù)在柔性基底上蝕刻出所述柔性電子器件。空間結(jié)構(gòu)參數(shù)包括柔性電子器件的三維尺寸結(jié)構(gòu)參數(shù)。
在一實(shí)施例中,所述方法還包括:依據(jù)不同的柔性電子器件的空間結(jié)構(gòu)參數(shù),按照柔性電子器件的高度由高至低的順序依次在柔性基底上蝕刻出所述柔性電子器件。
在一實(shí)施例中,所述蝕刻為單面蝕刻或者雙面蝕刻。
在一實(shí)施例中,所述蝕刻包括如下步驟:
依據(jù)電子器件的空間結(jié)構(gòu)參數(shù)在柔性基底上涂敷感光膜;
將柔性基底曝光;
用顯影劑去除未感光的感光膜;
用蝕刻液蝕刻柔性基底產(chǎn)生柔性電子器件。
在一實(shí)施例中,所述蝕刻還包括:在蝕刻完成后去除感光膜的步驟。
在一實(shí)施例中,所述方法還包括對(duì)所述柔性電子器件先進(jìn)行化學(xué)鍍?cè)龠M(jìn)行電鍍的步驟。
在一實(shí)施例中,所述柔性電子器件可以選自柔性電阻、柔性電容或柔性電感中的一種或多種的集成。
在一實(shí)施例中,所述柔性基底具有不同材料層的堆疊結(jié)構(gòu)。
在一實(shí)施例中,所述柔性基底為聚合物納米復(fù)合絕緣基材。
本技術(shù)方案與背景技術(shù)相比,它具有如下優(yōu)點(diǎn):
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