[發明專利]集成埋入式柔性電子元器件的制備方法在審
| 申請號： | 201810801254.1 | 申請日： | 2018-07-21 |
| 公開（公告）號： | CN108963074A | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 李能彬 | 申請（專利權）人： | 李能彬 |
| 主分類號： | H01L49/02 | 分類號： | H01L49/02;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/30 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 361000 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性電子器件 制備 蝕刻 柔性電子 埋入式 元器件 空間結構參數 柔性基底 集成電路 | ||
1.集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述方法包括：依據柔性電子器件的空間結構參數在柔性基底上蝕刻出所述柔性電子器件。
2.根據權利要求1所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：依據不同的柔性電子器件的空間結構參數，按照柔性電子器件的高度由高至低的順序依次在柔性基底上蝕刻出所述柔性電子器件。
3.根據權利要求1或2所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述蝕刻為單面蝕刻或者雙面蝕刻。
4.根據權利要求1或2所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述蝕刻包括如下步驟：
依據電子器件的空間結構參數在柔性基底上涂敷感光膜；
將柔性基底曝光；
用顯影劑去除未感光的感光膜；
用蝕刻液蝕刻柔性基底產生柔性電子器件。
5.根據權利要求4所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述蝕刻還包括在蝕刻完成后去除感光膜的步驟。
6.根據權利要求4所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述方法還包括對所述柔性電子器件先進行化學鍍再進行電鍍的步驟。
7.根據權利要求1或2所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述柔性電子器件選自柔性電阻、柔性電容或柔性電感中的一種或多種的集成。
8.根據權利要求1或2所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述柔性基底具有不同材料層的堆疊結構。
9.根據權利要求1或2所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述柔性基底為聚合物納米復合絕緣基材。
10.根據權利要求9所述的集成埋入式柔性電子元器件的制備方法，其特征在于，所述聚合物納米復合絕緣基材為聚酰亞胺含硅材料。
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