[發明專利]雙面OLED顯示器及其制作方法在審
| 申請號: | 201810799547.0 | 申請日: | 2018-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN109244080A | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發明(設計)人: | 劉兆松;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠驍 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 制作 透明陽極 溝道區 源層 頂發光OLED器件 半導體圖案 驅動 陽極 雙面顯示 導體化 接觸區 光罩 遮擋 | ||
本發明提供一種雙面OLED顯示器及其制作方法。本發明的雙面OLED顯示器中同時具有頂發光OLED器件及底發光OLED器件,從而能夠實現雙面顯示。該雙面OLED顯示器在制作時,利用柵極作為遮擋對半導體圖案進行導體化處理以制作用于驅動底發光OLED器件的TFT器件的有源層,使得用于驅動底發光OLED器件的TFT器件的有源層包括溝道區及分別與溝道區兩端連接的接觸區及透明陽極,利用該透明陽極作為底發光OLED器件的陽極,從而減少了雙面OLED顯示器在制作時需求的光罩的數量,有效的降低了產品的成本。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種雙面OLED顯示器及其制作方法。
背景技術
平板顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優點,得到了廣泛的應用。現有的平板顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display,LCD)及有機電致發光顯示器件(Organic Light Emitting Display,OLED)。OLED顯示器件由于同時具備自發光,不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構造及制程較簡單等優異特性,一致被公認為是下一代顯示的主流技術,得到了各大顯示器廠家的青睞。OLED顯示器件通常包括:基板、設于基板上的陽極、設于陽極上的空穴注入層、設于空穴注入層上的空穴傳輸層、設于空穴傳輸層上的發光層、設于發光層上的電子傳輸層、設于電子傳輸層上的電子注入層及設于電子注入層上的陰極,其發光機理為半導體材料和有機發光材料在電場驅動下,通過載流子注入和復合導致發光。具體的,OLED顯示器件通常采用氧化銦錫(ITO)電極和金屬電極分別作為陽極和陰極,在一定電壓驅動下,電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子注入層和空穴注入層,電子和空穴分別經過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發光層,并在發光層中相遇,形成激子并使發光分子激發,后者經過輻射弛豫而發出可見光。
隨著顯示技術的發展,消費者除了要求顯示裝置具備反應速度快、分辨率高、畫質細膩的特點外,也追求功能及顯示模式上的突破。因此,雙面OLED顯示器應運而生,雙面OLED顯示器除了具備普通OLED顯示器的各種特性外,還可以延伸畫面空間,快速切換與處理多個顯示畫面,不僅節約了顯示器的制作成本,更可以節省裝置的空間。目前的雙面OLED顯示器在制作時需要的光罩數量較多,導致產品的成本較高,不符合消費者期望的高性價比的要求。
發明內容
本發明的目的在于提供一種雙面OLED顯示器,能夠實現雙面顯示,且制作時需求的光罩數量少,產品成本低。
本發明的另一目的在于提供一種雙面OLED顯示器的制作方法,需求的光罩數量少,產品成本低。
為實現上述目的,本發明首先提供一種雙面OLED顯示器,包括:襯底、設于所述襯底上方且在水平方互相間隔的第一有源層及第二有源層、設于所述第一有源層上的第一柵極絕緣層、設于所述第二有源層上的第二柵極絕緣層、設于所述第一柵極絕緣層上的第一柵極、設于所述第二柵極絕緣層上的第二柵極、覆蓋所述第一有源層、第一柵極、第二有源層及第二柵極的層間絕緣層以及設于所述層間絕緣層上的第一源/漏極、第二源/漏極及第三源/漏極;
所述第一有源層包括第一溝道以及分別與第一溝道兩端連接的第一接觸區及透明陽極;所述第二有源層包括第二溝道以及分別與第二溝道兩端連接的第二接觸區及第三接觸區;所述第一柵極絕緣層對應設于第一溝道上方;所述第二柵極絕緣層對應設于第二溝道上方;所述層間絕緣層設有位于第一接觸區上方的第一開口、位于透明陽極上方的第二開口、位于第二接觸區上方的第三開口及位于第三接觸區上方的第四開口,所述第一源/漏極經第一開口與第一接觸區接觸,所述第二源/漏極經第三開口與第二接觸區接觸,所述第三源/漏極經第四開口與第三接觸區接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





