[發明專利]雙面OLED顯示器及其制作方法在審
| 申請號: | 201810799547.0 | 申請日: | 2018-07-19 |
| 公開(公告)號: | CN109244080A | 公開(公告)日: | 2019-01-18 |
| 發明(設計)人: | 劉兆松;任章淳 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠驍 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 制作 透明陽極 溝道區 源層 頂發光OLED器件 半導體圖案 驅動 陽極 雙面顯示 導體化 接觸區 光罩 遮擋 | ||
1.一種雙面OLED顯示器,其特征在于,包括:襯底(10)、設于所述襯底(10)上方且在水平方互相間隔的第一有源層(21)及第二有源層(22)、設于所述第一有源層(21)上的第一柵極絕緣層(31)、設于所述第二有源層(22)上的第二柵極絕緣層(32)、設于所述第一柵極絕緣層(31)上的第一柵極(41)、設于所述第二柵極絕緣層(32)上的第二柵極(42)、覆蓋所述第一有源層(21)、第一柵極(41)、第二有源層(22)及第二柵極(42)的層間絕緣層(50)以及設于所述層間絕緣層(50)上的第一源/漏極(61)、第二源/漏極(62)及第三源/漏極(63);
所述第一有源層(21)包括第一溝道(211)以及分別與第一溝道(211)兩端連接的第一接觸區(212)及透明陽極(213);所述第二有源層(22)包括第二溝道(221)以及分別與第二溝道(221)兩端連接的第二接觸區(222)及第三接觸區(223);所述第一柵極絕緣層(31)對應設于第一溝道(211)上方;所述第二柵極絕緣層(32)對應設于第二溝道(221)上方;所述層間絕緣層(50)設有位于第一接觸區(212)上方的第一開口(51)、位于透明陽極(213)上方的第二開口(52)、位于第二接觸區(222)上方的第三開口(53)及位于第三接觸區(223)上方的第四開口(54),所述第一源/漏極(61)經第一開口(51)與第一接觸區(212)接觸,所述第二源/漏極(62)經第三開口(53)與第二接觸區(222)接觸,所述第三源/漏極(63)經第四開口(54)與第三接觸區(223)接觸。
2.如權利要求1所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,還包括覆蓋所述第一源/漏極(61)、第二源/漏極(62)及第三源/漏極(63)的鈍化層(70)、設于鈍化層(70)上的平坦化層(80)、設于透明陽極(213)上的第一發光層(101)、設于第一發光層(101)及平坦化層(80)上的反射陰極(111)、設于所述平坦化層(80)上的反射陽極(90)、設于所述平坦化層(80)及反射陽極(90)上的像素定義層(120)、設于反射陽極(90)上的第二發光層(102)以及設于第二發光層(102)及像素定義層(120)上的透明陰極(112);
所述第二開口(52)貫穿鈍化層(70)及層間絕緣層(50);所述鈍化層(70)設有位于第三源/漏極(63)上方的第五開口(72);所述平坦化層(80)設有位于第二開口(52)上方的第六開口(81)以及位于第五開口(72)上方的第七開口(82);所述第一發光層(101)位于第二開口(52)內;所述反射陽極(90)經第七開口(82)及第五開口(72)與第三源/漏極(63)接觸;所述像素定義層(120)設有位于反射陽極(90)上方的第八開口(121);所述第二發光層(102)位于所述第八開口(121)內。
3.如權利要求2所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,所述第一發光層(101)及第二發光層(102)均為白光發光層;
所述雙面OLED顯示器還包括設于襯底(10)上的第一色阻圖案(130)、覆蓋第一色阻圖案(130)的緩沖層(140)、設于透明陰極(112)上方的蓋板(150)、設于蓋板(150)靠近透明陰極(112)一側的第二色阻圖案(160)以及設于蓋板(150)與平坦化層(80)之間將蓋板(150)與平坦化層(80)連接的框膠(170);所述第一有源層(21)及第二有源層(22)均設于緩沖層(140)上;所述第一色阻圖案(130)對應位于第一發光層(101)下方;所述第二色阻圖案(160)對應位于第二發光層(102)上方。
4.如權利要求3所述的雙面OLED顯示器,其特征在于,還包括設于襯底(10)上且與第一色阻圖案(130)間隔的黑色矩陣(180),所述黑色矩陣(180)包括位于第一柵極(41)下方的第一遮光部(181)及位于第二柵極(42)下方的第二遮光部(182),所述緩沖層(140)覆蓋第一色阻圖案(130)的同時還覆蓋所述黑色矩陣(180)。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810799547.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





