[發明專利]基板結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201810799183.6
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN110739289B
• 公開（公告）日: 2021-05-04
• 發明（設計）人: 林建辰;馮冠文
• 申請（專利權）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/00;H01L21/48
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種基板結構，其特征在于，包括：

第一線路結構，包括：

第一層，包括第一介電層和第一線路層，其中所述第一線路層嵌置于所述第一介電層中；以及

第二層，設置于所述第一層之下，并包括第二線路層，其中所述第二線路層與所述第一線路層電性連接；

第二介電層，設置于所述第一線路結構上，并具有第一開口暴露出所述第一線路層的一部分，其中所述第二介電層的熔點低于所述第一介電層的熔點，且所述第二介電層的熱裂解溫度低于所述第一介電層的熱裂解溫度；以及

第二線路結構，設置于第二介電層上，并具有與所述第一開口連通的第二開口，其中所述第二線路結構包括第三線路層，所述第三線路層與所述第一線路層電性連接。

2.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，還包括：

增層結構，設置于所述第一線路結構之下，其中所述增層結構包括：

第一增層，包括第四線路層，其中所述第四線路層與所述第二線路層電性連接。

3.根據權利要求2所述的基板結構，其特征在于，所述增層結構還包括設置于所述第一增層之下的第二增層，所述第二增層包括第五線路層，且所述第五線路層與所述第四線路層電性連接。

4.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，還包括：

第一導電墊，設置于所述第二線路結構之上，且所述第一導電墊與所述第三線路層電性連接；以及

第一阻焊層，覆蓋所述第一導電墊，并具有第一孔洞暴露出所述第一導電墊的一部分。

5.根據權利要求1所述的基板結構，其特征在于，還包括：

第二導電墊，設置于所述第一線路結構之下，且所述第二導電墊與所述第二線路層電性連接；以及

第二阻焊層，覆蓋所述第二導電墊，并具有第二孔洞暴露出所述第二導電墊的一部分。

6.一種基板結構的制造方法，其特征在于，包括下列步驟：

(i)形成第一線路結構，其中所述第一線路結構包括：

第一層，包括第一介電層和第一線路層，其中所述第一線路層嵌置于所述第一介電層中；以及

第二層，設置于所述第一層之下，并包括第二線路層，其中所述第二線路層與所述第一線路層電性連接；

(ii)在所述第一線路結構上形成熱裂解膜，其中所述熱裂解膜的熔點低于所述第一介電層的熔點；

(iii)在所述熱裂解膜的激光鉆孔區域上形成第一金屬層；

(iv)在所述熱裂解膜和所述第一金屬層上形成第二線路前驅結構；

(v)在所述激光鉆孔區域的垂直投影方向上，對所述第二線路前驅結構和所述熱裂解膜進行激光鉆孔工藝，以形成第二線路結構、第二介電層、以及缺陷膜，其中所述第二線路結構包括第三線路層，所述第三線路層與所述第一線路層電性連接，所述缺陷膜設置于所述第一金屬層與所述第一線路結構之間；以及

(vi)去除所述第一金屬層和所述缺陷膜。

7.根據權利要求6所述的基板結構的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度與所述熱裂解膜的厚度的比為2：1～3：1。

8.根據權利要求6所述的基板結構的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為15微米～30微米。

9.根據權利要求6所述的基板結構的制造方法，其特征在于，所述步驟(vi)是以剝離方式來去除所述第一金屬層和所述缺陷膜。

10.根據權利要求6所述的基板結構的制造方法，其特征在于，所述步驟(i)包括下列子步驟：

(a)提供核心層，其中所述核心層包括核心介電層、設置于所述核心介電層下的第二金屬層、以及設置于所述第二金屬層下的第三金屬層；

(b)在所述第三金屬層之下形成所述第一線路結構的所述第一層；

(c)在所述第一層之下形成所述第一線路結構的所述第二層；以及

(d)剝離所述核心層，從而形成所述第一線路結構。