[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質

有效

• 申請號: 201810798557.2
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN109285763B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 井關智弘;田中啟一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3105;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明涉及基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質，改善掩膜圖案的表面的粗糙并抑制掩膜圖案的輪廓形狀發生變化。所述裝置具備：載置臺(24)，其在處理容器(21)內載置表面形成有圖案掩膜(12)的基板(W)；減壓機構(32)，其對所述處理容器(21)內進行減壓；光照射機構(42)，其在所述處理容器內被減壓并且達到1Pa以下的壓力之后向所述基板(W)照射真空紫外光來改善所述圖案掩膜(12)的表面的粗糙；以及控制部，其輸出控制信號，以使在所述處理容器(21)內從10000Pa以上的壓力減壓到1Pa的期間中由所述減壓機構(32)進行減壓的該處理容器(21)內的減壓速度為250Pa/秒以下。

技術領域

本發明涉及一種改善形成于基板的表面的圖案掩膜的粗糙的技術。

背景技術

在半導體元件的制造工藝中，在半導體晶圓(以下記載為“晶圓”)等基板的表面形成抗蝕膜并且進行曝光之后，進行顯影處理，由此在晶圓表面形成抗蝕圖案。然后，以該抗蝕圖案作為圖案掩膜來進行抗蝕膜的下層膜的蝕刻，從而在該下層膜形成圖案。

然而，有時在抗蝕圖案的表面存在有粗糙、即凹凸。該抗蝕圖案的粗糙有時會在蝕刻時對下層膜的圖案的形狀帶來不良影響，因此有時進行改善該粗糙的處理。在專利文獻1中，在臭氧濃度比規定的濃度低的氣氛下照射200nm以下的波長的射線，由此能夠抑制抗蝕圖案的表面的粗糙。但是，具有如下風險：為了形成這樣的氣氛而對基板的周圍抽真空，因此圖案的輪廓形狀與期望的輪廓形狀產生偏差，導致抗蝕圖案不能夠起到作為圖案掩膜的作用，關于詳情在后進行敘述。

專利文獻1：日本特開2001-127037號公報

發明內容

發明要解決的問題

本發明是基于這樣的情況而完成的，其目的在于提供一種能夠改善掩膜圖案的表面的粗糙并且能夠抑制掩膜圖案的輪廓形狀發生變化的技術。

用于解決問題的方案

本發明的基板處理裝置的特征在于，具備：載置臺，其在處理容器內載置表面形成有圖案掩膜的基板；減壓機構，其對所述處理容器內進行減壓；光照射機構，其在所述處理容器內被減壓并且達到1Pa以下的壓力后，向所述基板照射真空紫外光來改善所述圖案掩膜的表面的粗糙；以及控制部，其輸出控制信號，以使在所述處理容器內從10000Pa減壓到1Pa的期間中由所述減壓機構進行減壓的該處理容器內的減壓速度的平均速度為250Pa/秒以下。

本發明的基板處理方法的特征在于，包括：在處理容器內將表面形成有圖案掩膜的基板載置于載置臺的工序；對所述處理容器內進行減壓的工序；在所述處理容器內減壓并且達到1Pa以下的壓力后，向所述基板照射真空紫外光來改善所述圖案掩膜的表面的粗糙的工序；以及進行控制以使在所述處理容器內從10000Pa減壓到1Pa的期間中，由所述減壓機構進行減壓的該處理容器內的減壓速度的平均速度為250Pa/秒以下的工序。

本發明的存儲介質保存在改善形成于基板的表面的圖案掩膜的粗糙的基板處理裝置中使用的計算機程序，所述存儲介質的特征在于，所述計算機程序中編入有步驟，以執行本發明的基板處理方法。

發明的效果

根據本發明，在使處理容器內減壓以能夠基于真空紫外光對圖案掩膜的表面的粗糙進行改善處理時，抑制在壓力比較低的氣氛中出現急劇的壓力變化。由此，能夠防止構成圖案掩膜的分子從該圖案掩膜脫離，從而能夠抑制圖案掩膜的輪廓形狀的變化并且改善表面的粗糙。

附圖說明

圖1是本發明的基板處理裝置的縱剖側視圖。

圖2是設置于所述基板處理裝置中的氘燈的俯視圖。

圖3是從所述氘燈照射出的光的光譜的波形圖。