[發明專利]基板處理裝置、基板處理方法和存儲介質

有效

• 申請號: 201810798557.2
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN109285763B
• 公開（公告）日: 2023-10-20
• 發明（設計）人: 井關智弘;田中啟一
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/3105;H01L21/67
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具備：

載置臺，其在處理容器內載置表面形成有圖案掩膜的基板；

減壓機構，其對所述處理容器內進行減壓；

光照射機構，其在所述處理容器內被減壓并且達到1Pa以下的壓力后，向所述基板照射真空紫外光來改善所述圖案掩膜的表面的粗糙；以及

控制部，其輸出控制信號，以使在所述處理容器內從10000Pa減壓到1Pa的期間中由所述減壓機構進行減壓的該處理容器內的減壓速度的平均速度為250Pa/秒以下。

2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

從所述光照射部照射出的光中包括波長比160nm小的光。

3.根據權利要求1或2所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述光照射機構由氘燈構成。

4.根據權利要求1至3中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述處理容器內從10000Pa減壓到1Pa的時間為60秒以下。

5.根據權利要求1至4中的任一項所述的基板處理裝置，其特征在于，

設置有升壓氣體供給機構，在所述處理容器內的壓力達到1Pa以下的壓力后，所述升壓氣體供給機構向所述處理容器內供給升壓氣體來使該處理容器內升壓，

在該升壓后由所述光照射部進行光照射。

6.根據權利要求5所述的基板處理裝置，其特征在于，

交替地重復進行由所述減壓機構進行的用于使所述處理容器內達到1Pa以下的壓力的減壓、以及由所述升壓氣體供給機構進行的升壓。

7.根據權利要求5或6所述的基板處理裝置，其特征在于，

所述升壓氣體為氬氣體。

8.一種基板處理方法，其特征在于，包括：

在處理容器內將表面形成有圖案掩膜的基板載置于載置臺的工序；

對所述處理容器內進行減壓的工序；

在所述處理容器內減壓并且達到1Pa以下的壓力后，向所述基板照射真空紫外光來改善所述圖案掩膜的表面的粗糙的工序；以及

進行控制以使在所述處理容器內從10000Pa減壓到1Pa的期間中，由所述減壓機構進行減壓的該處理容器內的減壓速度的平均速度為250Pa/秒以下的工序。

9.根據權利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，

照射所述真空紫外光的工序包括使所述圖案掩膜的表面固化的工序。

10.一種存儲介質，保存在改善形成于基板的表面的圖案掩膜的粗糙的基板處理裝置中使用的計算機程序，所述存儲介質的特征在于，

所述計算機程序中編入有步驟，以執行權利要求8或9所述的基板處理方法。