[發明專利]一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列及其制備方法

有效

• 申請號: 201810797632.3
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN109161849B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 宋忠孝;陳東圳;井津域;黃劍;楊波;錢旦
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/35;C23C14/54
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 姚詠華

1.一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)選用單晶硅片作為襯底，并進行鍍膜前預處理；

2)在預處理后的單晶硅襯底上，采用Ar氣或氮氣作為濺射氣氛，在對襯底施加電壓的條件下，采用射頻對鉻靶進行磁控濺射，在硅襯底上磁控濺射沉積一層厚度為100～2000nm的鉻膜；

3)Ar氣或氮氣作為濺射氣氛，對沉積有鉻膜的單晶硅襯底表面，在施加電壓的條件下，采用射頻或直流電源分別對銀靶和鉭靶進行磁控共濺射，通過控制電流強度分別調控銀、鉭元素沉積速率，在沉積有鉻膜的硅襯底上形成銀鉭復合材料有序多孔陣列；

4)鍍膜完成后，原位進行X射線光電子能譜檢測；

5)進行微觀結構和性能檢測；

所述步驟3)中，控制銀靶和鉭靶施加電壓為60V，沉積時間15～60min；

控制銀靶電流強度為1～5A時，銀元素沉積速率為10～30nm/min；控制鉭靶電流強度為0.2～1.8A時，鉭元素沉積速率為1～5nm/min。

2.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，所述單晶硅片襯底選自Si(100)或Si(111)。

3.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，單晶硅片襯底用SiO₂片或石英玻璃替代。

4.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中，單晶硅片襯底預處理為依次經過去離子水、丙酮、無水乙醇各超聲清洗10-20min。

5.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中，鉻靶純度為99.99％；本底真空度小于等于4×10^-4 Pa。

6.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中，對單晶硅襯底施加60V的電壓，射頻頻率控制在250kHz。

7.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，所述步驟3)中，銀靶和鉭靶純度均為99.99％；本底真空度小于等于4×10^-4 Pa。

8.根據權利要求1所述的一種銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列的制備方法，其特征在于，由銀、鉭元素構成分布均勻的多孔陣列，孔直徑為50-300nm，孔深度為50-400nm。

9.一種權利要求1-8任一項所述方法制備的銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列，其特征在于，包括下述質量比的元素：

銀元素 10～90％；

鉭元素 2～70％；

鉻元素 2～20％。

10.一種權利要求9所述銀鉭復合材料構建的有序多孔陣列用于有機分子的表面增強拉曼散射應用。