[發明專利]一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置及方法

在審

• 申請號: 201810794210.0
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN108710056A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 魏微;張杰;寧哲;江曉山;劉鵬;朱科軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02;G01R31/28
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王戈

本發明公開一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置及方法所述裝置包括：復位總線、刻度輸入總線、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第一晶體管MR、第二晶體管MF、第三晶體管MS、第四晶體管ML、列總線、電源、電壓發生器；所述第三電容C3的一端與所述刻度輸入總線連接，所述第三電容C3的另一端與所述第一電容C1的一端連接，所述第三電容C3的另一端還與所述第一晶體管MR的發射極連接，所述第一電容C1的另一端接地。本發明中的裝置可以對焊點的連通性精確檢測。

技術領域

本發明涉及倒裝焊工藝評估領域，特別是涉及一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置及方法。

背景技術

傳統的倒裝焊工藝評估方法大多都通過光學檢測的辦法完成倒裝焊工藝評估。即，首先完成樣片的倒裝焊工藝試制，然后通過X光檢測設備對倒裝焊焊點陣列進行透視成像，逐一觀察焊點的形態，形態異常的焊點標記為異常焊點。最后，進一步通過機械外力將已完成倒裝焊的模組撬開，并在光學顯微鏡下觀察焊點的斷面和形態，斷面異常或者沒有斷面的焊點確定為倒裝失效焊點。可見，這一倒裝焊工藝評估過程大量依賴人力觀察，如要精確確定工藝的良點率時效率極低；同時，工藝評估效果嚴重依賴成像設備的精度，當倒裝焊焊點直徑減小至十幾微米時，僅通過外形觀察已經很難分辨焊點的連通與否。

另一類方法主要基于簡單的電連通性測試，在即將進行倒裝焊的底片和負載片上首先進行金屬布線，保證上下兩個樣片的金屬布線形成一定的對應模式。理想情況下，完成倒裝焊工藝后，通過焊點連接的上下兩個樣片的金屬布線可以形成通路；當倒裝焊存在焊點連通性問題時，金屬連通性就會存在問題，形成斷路。這樣將金屬布線的兩端引出到片外進行探針通斷測試，就可以驗證倒裝焊點陣的整體連通性。然而，由于探針可探測的引腳只能分布在芯片四周，數量有限，這種方法只能對倒裝焊點陣的整體連通性進行評估，并且無法實現對故障的精確定位。即使通過區域分割的方法，縮小對焊點點陣的測試范圍，提高評估精度，在大規模點陣中也很難做到對每個焊點的連通性都進行精確評估。

發明內容

本發明的目的是提供一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置及方法，以實現對焊點的連通性精確檢測。

為實現上述目的，本發明提供了如下方案：

一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置，所述裝置包括：

復位總線、刻度輸入總線、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第一晶體管MR、第二晶體管MF、第三晶體管MS、第四晶體管ML、列總線、電源、電壓發生器；

所述第三電容C3的一端與所述刻度輸入總線連接，所述第三電容C3的另一端與所述第一電容C1的一端連接，所述第三電容C3的另一端還與所述第一晶體管MR的發射極連接，所述第一電容C1的另一端接地；

所述第二電容C2的一端與所述被測焊點連接，所述第二電容C2的另一端接地，所述第一晶體管MR與所述列總線連接，所述第一晶體管MR的集電極與所述電源連接；所述第二晶體管MF基極與所述第一晶體管MR的發射極連接，所述第二晶體管MF的集電極與所述電源連接，所述第二晶體管MF的發射極與所述第三晶體管MS的集電極連接，所述第三晶體管MS的發射極與所述列總線連接；所述第四晶體管ML的基極與所述電壓發生器連接，所述第四晶體管ML的發射極接地，所述第四晶體管ML的集電極與所述列總線連接。

可選的，所述第一電容C1為基準電容、第二電容C2為負載電容、第三電容C3為刻度電容。

本發明另外提供一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估方法，所述方法應用于一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置，所述方法包括：

對所述評估裝置進行復位；

通過所述復位總線接入電壓脈沖，所述電壓脈沖的幅度為V；