[發明專利]一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置及方法

在審

• 申請號: 201810794210.0
• 申請日: 2018-07-19
• 公開（公告）號: CN108710056A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 魏微;張杰;寧哲;江曉山;劉鵬;朱科軍
• 申請（專利權）人: 中國科學院高能物理研究所
• 主分類號: G01R31/02
• 分類號: G01R31/02;G01R31/28
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 王戈

1.一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置，其特征在于，所述裝置包括：

復位總線、刻度輸入總線、第一電容C1、第二電容C2、第三電容C3、第一晶體管MR、第二晶體管MF、第三晶體管MS、第四晶體管ML、列總線、電源、電壓發生器；

所述第三電容C3的一端與所述刻度輸入總線連接，所述第三電容C3的另一端與所述第一電容C1的一端連接，所述第三電容C3的另一端還與所述第一晶體管MR的發射極連接，所述第一電容C1的另一端接地；

所述第二電容C2的一端與所述被測焊點連接，所述第二電容C2的另一端接地，所述第一晶體管MR與所述列總線連接，所述第一晶體管MR的集電極與所述電源連接；所述第二晶體管MF基極與所述第一晶體管MR的發射極連接，所述第二晶體管MF的集電極與所述電源連接，所述第二晶體管MF的發射極與所述第三晶體管MS的集電極連接，所述第三晶體管MS的發射極與所述列總線連接；所述第四晶體管ML的基極與所述電壓發生器連接，所述第四晶體管ML的發射極接地，所述第四晶體管ML的集電極與所述列總線連接。

2.根據權利要求1所述的一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估裝置，其特征在于，所述第一電容C1為基準電容、第二電容C2為負載電容、第三電容C3為刻度電容。

3.一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估方法，其特征在于所述方法應用于如權利要求1所述的裝置，所述方法包括：

對所述評估裝置進行復位；

通過所述復位總線接入電壓脈沖，所述電壓脈沖的幅度為V；

獲取A點電壓，所述A點電壓為第一電容C1一端與第二晶體管MF基極以及被測焊點連接的交叉點；若A點電壓等于V*C3/(C1+C2+C3)時則表示焊點斷開，若A點電壓等于V*C3/(C1+C3)時，則表示焊點連通。

4.根據權利要求3所述的一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估方法，其特征在于，所述方法在獲取A點電壓之后還包括：

獲取所述被測焊點的寄生電阻值；

根據所述寄生電阻值評估焊點的連通性，當所述寄生電阻的阻值小于等于0.05Ω時，則表示被測焊點連通性高。

5.根據權利要求4所述的一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估方法，其特征在于，所述獲取所述被測焊點的寄生電阻值具體包括：

R_p＝(C1+C2+C3)t_r/[0.7π*C2(C1+C3)]，其中R_p為寄生電阻值，C1為第一電容C1的容量，C2為第二電容C2的容量，C3為第三電容C3的容量，t_r為10％-90％幅度上升時間。

6.根據權利要求4所述的一種倒裝焊工藝良率和寄生參數定量評估方法，其特征在于，所述脈沖幅度為2V或者1V。