[發明專利]一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝在審
| 申請號: | 201810791152.6 | 申請日: | 2018-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN109023244A | 公開(公告)日: | 2018-12-18 |
| 發明(設計)人: | 潘兵;曾慶云;余登全 | 申請(專利權)人: | 東莞華清光學科技有限公司;東莞勁勝精密電子組件有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/08 | 分類號: | C23C14/08;C23C14/10;C23C14/30;C23C14/32;C03C17/245 |
| 代理公司: | 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 王科 |
| 地址: | 523000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 鍍膜 制備工藝 蓋板 產品檢驗 離子轟擊 生產效率 穩定生產 顏色效果 真空成膜 工藝流程 偏移 抽真空 良品率 出爐 放氣 分光 膜料 膜系 絲印 素材 檢驗 生產 | ||
本發明涉及一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝,包括以下步驟:(1)素材準備和檢驗;(2)產品上傘;(3)鍍膜掛傘;(4)抽真空;(5)離子轟擊;(6)真空成膜;(7)出爐放氣;(8)產品下傘;(9)產品檢驗和包裝。本發明的優點是:1.簡化了NCVM生產時繁瑣的工藝流程,提高了生產效率和良品率2.采用SIO2和TI3O5膜料的膜系無論分光發生什么樣的偏移,絲印完后顏色效果都不會發生變化,可持續穩定生產。
技術領域
本發明涉及一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝,屬于NCVM光學鍍膜。
背景技術
傳統的工藝繁瑣,工藝參數的設定不準確,導致膜層易發生變化,不能穩定持續生產。
發明內容
為克服現有技術的缺陷,本發明提供一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝,本發明的技術方案是:
一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝,包括以下步驟:
(1)素材準備和檢驗;
(2)產品上傘;
(3)鍍膜掛傘;
(4)抽真空;
(5)離子轟擊;
(6)真空成膜;
(7)出爐放氣;
(8)產品下傘;
(9)產品檢驗和包裝。
所述的步驟(1)為:選取純度為99.999%,粒徑大小為1-3mm的SIO2和TI3O5膜料以及寬度為16cm、寬度為20cm兩種規格的保護膜;將待要鍍NCVM的玻璃用平板清洗機清洗干凈,不可有贓物、水印外觀缺陷;把有劃傷、臟物的不良玻璃挑出隔離。
所述的步驟(2)為:將玻璃的待鍍膜面朝上平鋪在鍍膜機的傘具上,并用磁鐵將保護膜固定,防止脫落。
所述的步驟(3)為:將傘具放入真空鍍膜機,加入膜料;所述的步驟(4)為:將真空鍍膜機的門關上,進行抽真空,真空度為6*10ˉ3Pa。
所述的步驟(5)轟擊時離子源陽極電壓100V,轟擊時離子源陰極電流8A,轟擊時離子源陽極電流8A,轟擊時間為5分鐘。
所述的步驟(6)成膜初始真空度5*10-3 Pa;成膜后的真空度4*10-3 Pa~3*10-3 Pa;鍍SIO2膜料時設置成膜速率為4.0?/s.膜層厚度為165nm;為解決膜層太厚電子槍光斑會擊穿坩堝的問題,將SIO2膜料分為兩層兩個坩堝,第一層的第一個坩堝的SIO2膜料厚度為800?即80nm,第二層的第二個坩堝的SIO2膜料厚度為850?即85nm,電子槍束流下限為70mA,上限為150mA,光斑大小調至比第一個坩堝中膜料外徑小即可; 鍍TI3O5膜料時設置成膜速率為2.0?/s,膜料厚度為460?即46nm.,電子槍束流下限為300mA,上限為350mA,光斑大小調制為一個點在第三個坩堝中的TI3O5膜料的中心即可。
所述的步驟(7)為:成膜完成后,將玻璃在機臺中靜置6分鐘,然后打開進氣閥讓空氣進入腔體,直至腔體門打開。
所述的步驟(8)為:將鍍完NCVM的玻璃整條取下,用覆膜機覆好保護膜以防膜層被污染,玻璃的非鍍膜面覆寬度為20cm的保護膜,鍍膜面覆16cm的保護膜。
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