[發(fā)明專利]一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝

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• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN109023244A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發(fā)明（設計）人: 潘兵;曾慶云;余登全
• 申請（專利權）人: 東莞華清光學科技有限公司;東莞勁勝精密電子組件有限公司
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/10;C23C14/30;C23C14/32;C03C17/245
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所(普通合伙) 11316
• 代理人: 王科

1.一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

（1）素材準備和檢驗；（2）產品上傘；（3）鍍膜掛傘；（4）抽真空；（5）離子轟擊；（6）真空成膜；（7）出爐放氣；（8）產品下傘；（9）產品檢驗和包裝。

2.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（1）為：選取純度為99.999%，粒徑大小為1-3mm的SIO₂和TI₃O₅膜料以及寬度為16cm、寬度為20cm兩種規(guī)格的保護膜；將待要鍍NCVM的玻璃用平板清洗機清洗干凈，不可有贓物、水印外觀缺陷；把有劃傷、臟物的不良玻璃挑出隔離。

3.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（2）為：將玻璃的待鍍膜面朝上平鋪在鍍膜機的傘具上，并用磁鐵將保護膜固定，防止脫落。

4.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（3）為：將傘具放入真空鍍膜機，加入膜料；所述的步驟（4）為：將真空鍍膜機的門關上，進行抽真空，真空度為6*10^ˉ3Pa。

5.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（5）轟擊時離子源陽極電壓100V，轟擊時離子源陰極電流8A，轟擊時離子源陽極電流8A，轟擊時間為5分鐘。

6.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（6）成膜初始真空度5*10^-3 Pa；成膜后的真空度4*10^-3 Pa~3*10^-3 Pa；鍍SIO₂膜料時設置成膜速率為4.0?/s.膜層厚度為165nm；為解決膜層太厚電子槍光斑會擊穿坩堝的問題，將SIO₂膜料分為兩層兩個坩堝，第一層的第一個坩堝的SIO₂膜料厚度為800?即80nm，第二層的第二個坩堝的SIO₂膜料厚度為850?即85nm，電子槍束流下限為70mA，上限為150mA，光斑大小調至比第一個坩堝中膜料外徑小即可; 鍍TI₃O₅膜料時設置成膜速率為2.0?/s，膜料厚度為460?即46nm.，電子槍束流下限為300mA，上限為350mA，光斑大小調制為一個點在第三個坩堝中的TI₃O₅膜料的中心即可。

7.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（7）為：成膜完成后，將玻璃在機臺中靜置6分鐘，然后打開進氣閥讓空氣進入腔體，直至腔體門打開。

8.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（8）為：將鍍完NCVM的玻璃整條取下，用覆膜機覆好保護膜以防膜層被污染，玻璃的非鍍膜面覆寬度為20cm的保護膜，鍍膜面覆16cm的保護膜。

9.根據權利要求1所述的一種蓋板灰色NCVM鍍膜制備工藝，其特征在于，所述的步驟（9）為：取一片鍍好的玻璃用可見光光譜測試儀測試光譜曲線，看分光是否一致，如果一致進入下一工序包裝，不一致的進行隔離。