[發明專利]一種SiC MOSFET通用雙脈沖測試夾具

在審

• 申請號: 201810788807.4
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN111812359A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 張斌;陳乾宏;李翠;馮潔潔;孫安信
• 申請（專利權）人: 北京世紀金光半導體有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 張永革

本發明公開了一種SiC?MOSFET通用雙脈沖測試夾具，屬于自動測試領域。雙脈沖是功率開關管重要的性能測試，但SiC?MOSFET各廠家模塊封裝不統一，本發明主要適用多種模塊封裝與TO?220、TO?247獨立封裝的SiC?MOSFET的通用自動測試系統。包括面板銅排、夾具基板、夾具銅排、驅動器接口、無感電流同軸分流器、BNC信號輸出接口。本發明只需要簡單的外電路、BNC連接線和示波器就可以對市面上已有的大部分封裝形式的SiC?MOSFET進行雙脈沖測試實驗，為SiC?MOSFET選型和電氣特性定性分析提供依據。

技術領域

本發明涉及功率管的雙脈沖特性測試技術以及電氣自動測試技術，具體涉一種SiC-MOSFET通用雙脈沖測試夾具。適用多種模塊封裝與TO-220、TO-247獨立封裝。

背景技術

SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）作為第三代寬禁帶半導體器件，具有導通內阻低、擊穿電壓高、工作溫度寬、抗干擾能力強等一系列優點，是功率電力器件研究的熱點。

雙脈沖測試是功率開關管重要的性能測試方法。雙脈沖測試平臺可用于采集SiCMOSFET開通過程和關斷過程的驅動電壓、開關電壓和電流波形，用于評估SiC MOSFET的開關延遲時間、電壓電流上升、下降時間、電壓電流變化率、電壓電流應力以及開關損耗等開關特性。與單脈沖試驗相比，雙脈沖試驗還可以測試二極管的反向恢復過程，因而雙脈沖試驗更加真實,更符合實際工作狀態。

SiC-MOSFET各廠家模塊封裝不統一。封裝不同，SiC-MOSFET功率模塊的尺寸結構不同。在確定選型時，測試實驗只能針對某一種封裝進行測試，但是制作一套測試系統比較昂貴，這使得SiC-MOSFET的測試變得困難且不經濟。因此，提高測試平臺的靈活性是很有必要的。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的是：針對上述的關于測試平臺不靈活問題，設計出一種SiC-MOSFET通用雙脈沖測試夾具，可以測試大部分的模塊封裝以及TO-220、TO-247獨立封裝的SiC-MOSFET。

為解決上述問題，本發明采用的方案為：

一種SiC MOSFET通用雙脈沖測試夾具，包括基板、驅動接口、驅動模塊和主電路接口；所述基板的頂固定有分別與第一源極面板銅排、第一漏極面板銅排以及第二源極面板銅排對應的第一源極銅排、第一漏極銅排以及第二源極銅排；所述第一源極銅排、第一漏極銅排以及第二源極銅排的頂面均開設有若干個與SiC MOSFET封裝模塊主電路連接孔對應的螺紋孔。

進一步，所述驅動模塊設置在所述基板的頂面。

進一步，所述基板的頂面設置有BNC接口。

進一步，還包括立插封裝測試模塊；所述立插封裝測試模塊包括底板、兩個插接立插封裝器件的插座、驅動接口和主電路接口；所述插座設置在所述底板的頂面；插座的引腳與所述驅動接口和所述主電路接口通過底板上的布線連接；所述主電路接口為底板底面與所述第一源極銅排、第一漏極銅排以及第二源極銅排位置對應的裸露銅片；所述驅動接口為插針，設置在底板的底面，與基板上的驅動接口的插座位置對應。

進一步，所述驅動器接口采用RJ45網線接口。

進一步，所述第一源極銅排、第一漏極銅排或第二源極銅排為兩片上下配合的分立銅排，兩片所述分立銅排上開設安裝無感電流同軸分流器的安裝孔；分別固定在所述基板的頂面和底面對應位置，通過無感電流同軸分流器連接。

本發明相比現有技術具有如下優點：

1、本發明設計了一種SiC-MOSFET通用雙脈沖測試夾具，通過放置夾具銅排以及在銅排上設置接口可以適應大部分SiC-MOSFET模塊封裝。可以大幅度降低測試成本，大幅度擴大特性評估和選型的SiC-MOSFET范圍。