[發明專利]一種SiC MOSFET通用雙脈沖測試夾具

在審

• 申請號: 201810788807.4
• 申請日: 2018-07-18
• 公開（公告）號: CN111812359A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 張斌;陳乾宏;李翠;馮潔潔;孫安信
• 申請（專利權）人: 北京世紀金光半導體有限公司
• 主分類號: G01R1/04
• 分類號: G01R1/04
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司 11003
• 代理人: 張永革

1.一種SiC MOSFET通用雙脈沖測試夾具，包括基板、驅動接口、驅動模塊和主電路接口；其特征在于，所述基板的頂固定有分別與第一源極面板銅排、第一漏極面板銅排以及第二源極面板銅排對應的第一源極銅排、第一漏極銅排以及第二源極銅排；所述第一源極銅排、第一漏極銅排以及第二源極銅排的頂面均開設有若干個與SiC MOSFET標準系列封裝模塊主電路連接孔對應的螺紋孔。

2.如權利要求1所述的SiC MOSFET通用雙脈沖測試夾具，其特征在于，所述驅動模塊設置在所述基板的頂面。

3.如權利要求1所述的SiC MOSFET通用雙脈沖測試夾具，其特征在于，所述基板的頂面設置有BNC接口。

4.根據權利要求1所述的通用測試夾具，其特征在于，還包括立插封裝測試模塊；所述立插封裝測試模塊包括底板、兩個插接立插封裝器件的插座、驅動接口和主電路接口；所述插座設置在所述底板的頂面；插座的引腳與所述驅動接口和所述主電路接口通過底板上的布線連接；所述主電路接口為底板底面與所述第一源極銅排、第一漏極銅排以及第二源極銅排位置對應的裸露銅片；所述驅動接口為插針，設置在底板的底面，與基板上的驅動接口的插座位置對應。

5.根據權利要求1所述的通用測試夾具，其特征在于，所述驅動器接口采用RJ45網線接口。

6.根據權利要求1所述的通用測試夾具，其特征在于，所述第一源極銅排、第一漏極銅排或第二源極銅排為兩片上下配合的分立銅排，兩片所述分立銅排上開設安裝無感電流同軸分流器的安裝孔；分別固定在所述基板的頂面和底面對應位置，通過無感電流同軸分流器連接。