[發明專利]具微半導體結構的目標基板

有效

• 申請號: 201810787206.1
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN109461752B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 陳顯德
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

本發明的題目是具微半導體結構的目標基板。一種具微半導體結構的目標基板，包括一目標基板、復數個微半導體結構以及復數個微接觸凸部。目標基板具一板體與設于板體上的復數個導電部。所述微半導體結構呈圖形化地設于所述目標基板；各所述微半導體結構具有一本體、與設于所述本體上的至少一電極；所述至少一電極與所述目標基板上所對應的所述導電部呈共金接著；所述微接觸凸部連接呈圖形化的所述微半導體的所述本體至所述目標基板的所述板體。

技術領域

本發明是關于一種微半導體結構的目標基板，特別是關于一種受批量移轉后而具有微半導體結構的目標基板。

背景技術

微發光二極管在巨量移轉的實務上，有其技術門坎與限制。

傳統發光二極管(邊長超過100微米)通常在外延(epitaxy)制程后，通過一系列制程形成數組排列的發光二極管晶粒，欲轉置于一承載底材上，其采用一選取頭(pick-uphead)對應一晶粒的方式，自前述承載底材執行挑選與轉移。然而，發光二極管一進入微米化，即發生：微發光二極管晶粒的邊長尺寸相對較小(如100微米以下、或以下等級)，選取頭的尺寸有微縮下限，選取頭的尺寸大于發光二極管晶粒的尺寸，而無法有效拾取微發光二極管晶粒；又，微米化意謂同尺寸晶圓所能成形的晶粒數量將巨量增加，傳統制程中一對一拾取使微發光二極管的產率極低。

業界有利用微接觸印刷(micro contact printing)技術，使聚合物材料模板上預設有巨量的凹凸圖案，用來對應所要選取的微發光二極管晶粒，以達到巨量移轉至一目標基板的要求。但實務上，聚合物材料本身必須兼具硬度與黏性的特性，以在重復黏取的制程中保持不變形。

因此，業界亟需提供一種有效且創新的巨量移轉技術。

發明內容

有鑒于此，本發明可對一目標基板形成微接觸凸部的圖樣化，以便對復數個微半導體結構進行選擇性地的批量黏取，進而提供一種具微半導體結構的目標基板。

為此，本發明提出一種具微半導體結構的目標基板，包括一目標基板、復數個微半導體結構、以及復數個微接觸凸部。其中，目標基板具一板體、與設于板體上的復數個導電部；所述微半導體結構，呈圖形化地設于目標基板；其中，各所述微半導體結構具有一本體、與設于所述本體上的至少一電極；其中，所述至少一電極與所對應的導電部呈共金接著；所述微接觸凸部，連接呈所述微半導體的本體至目標基板的板體。

為此，本發明提出一種具微半導體結構的目標基板，包括一目標基板、設于目標基板的復數個微半導體結構、以及連接各所述微半導體結構至目標基板之一第一接著組件與一第二接著組件。其中，目標基板具一板體、與設于板體上的復數個導電部；其中，各所述微半導體結構具有一本體、與設于本體上的至少一電極。其中，第一接著組件由各所述微半導體結構的所述至少一電極與所述目標基板所對應的導電部呈共金接著所構成；所述第二接著組件連接各所述微半導體結構的本體至目標基板的板體，且第二接著組件由至少一微接觸凸部所構成。

附圖說明

圖1A、1B為本發明的用于批量移轉微半導體結構的方法的第一、第二實施例流程圖；

圖1C為本發明的用于批量移轉微半導體結構的方法的第三實施例流程圖；

圖1D為本發明的用于批量移轉微半導體結構的方法的第四實施例流程圖；

圖1E為本發明的用于批量移轉微半導體結構的方法的第五實施例流程圖；

圖1F為本發明的用于批量移轉微半導體結構的方法的第六實施例流程圖；

圖2A至圖2H為圖1A、圖1B的制程示意圖；

圖2I至圖2J為圖1C的制程示意圖；

圖3、圖3A為圖2D、圖2E的不同實施態樣的示意圖；