[發明專利]具微半導體結構的目標基板

有效

• 申請號: 201810787206.1
• 申請日: 2018-07-16
• 公開（公告）號: CN109461752B
• 公開（公告）日: 2023-10-10
• 發明（設計）人: 陳顯德
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種具微半導體結構的目標基板，包括：

一目標基板，具一板體、與設于所述板體上的復數個導電部；

復數個微半導體結構，呈圖形化地設于所述目標基板；各所述微半導體結構具有一本體、與設于所述本體上的至少一電極；所述至少一電極與所述目標基板上所對應的所述導電部呈共金接著；以及

復數個微接觸凸部，連接呈圖形化的所述微半導體的所述本體至所述目標基板的所述板體。

2.如權利要求第1項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

沿所對應的所述導電部周圍布設各所述微接觸凸部。

3.如權利要求第1項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

各所述微接觸凸部呈連續性或非連續性。

4.如權利要求第1項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

各所述微半導體結構的所述電極數為一對；各所述微半導體結構的所述對電極之間布設有各所述微接觸凸部。

5.如權利要求第1項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

各所述微半導體結構之間不布設有所述微接觸凸部。

6.如權利要求第1項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

所述微半導體結構，為水平式或覆晶式電極的微發光二極管晶粒。

7.如權利要求第1項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

所述微半導體結構，為垂直式電極的微發光二極管晶粒。

8.一種具微半導體結構的目標基板，包括：

一目標基板；

復數個微半導體結構，設于所述目標基板；以及

一第一接著組件，與一第二接著組件，連接各所述微半導體結構至所述目標基板；

其中，所述目標基板具一板體、與設于所述板體上的復數個導電部；各所述微半導體結構具有一本體、與設于所述本體上的至少一電極；

其中，所述第一接著組件由各所述微半導體結構的所述至少一電極與所述目標基板所對應的所述導電部呈共金接著所構成；

其中，所述第二接著組件連接各所述微半導體結構的所述本體至所述目標基板的所述板體，且所述第二接著組件由至少一微接觸凸部所構成。

9.如權利要求第8項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

沿所對應的所述導電部周圍布設所述至少一微接觸凸部。

10.如權利要求第8項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

所述至少一微接觸凸部呈連續結構或非連續性結構。

11.如權利要求第8項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

所述至少一微接觸凸部包圍所對應的所述導電部。

12.如權利要求第8項所述的具微半導體結構的目標基板，其中：

各所述微半導體結構的所述電極數為一對；各所述微半導體結構的所述對電極之間布設有各所述微接觸凸部。