[發明專利]半導體器件、其制作方法及電子設備

有效

• 申請號: 201810785736.2
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN110729232B
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 陳峻;吳亮;董天化;曾紅林
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/535
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底，所述半導體襯底內布置有相鄰的有源區和隔離區；

在所述半導體襯底的有源區上沿第一方向排布的多個柵極結構，相鄰兩個所述柵極結構之間形成有沿第二方向延伸的間隙；

在所述第一方向與所述多個柵極結構間隔排列且位于所述半導體襯底的隔離區上表面的多個高度調節單元，所述高度調節單元位于所述間隙在所述第二方向的延伸線上；

互連層，所述互連層填充所述間隙并延伸覆蓋所述高度調節單元；以及

硅化層，所述硅化層覆蓋所述互連層。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極結構包括柵極和覆蓋于所述柵極兩側的側墻，所述高度調節單元為絕緣材料。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極和所述互連層的材料都包括多晶硅，所述高度調節單元與所述側墻包括相同的材料。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述側墻為疊層結構并包括TEOS層，所述高度調節單元的材料與所述TEOS層的材料相同。

5.如權利要求1至4任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述高度調節單元的高度為750～850埃。

6.如權利要求1至4任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述硅化層的材料包括鈷的硅化物。

7.如權利要求1至4任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體襯底包括沿所述第二方向相鄰設置的有源區和隔離區，所述柵極結構位于所述有源區，所述高度調節單元位于所述隔離區。

8.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底內布置有相鄰的有源區和隔離區，在所述半導體襯底的有源區上沿第一方向形成有多個柵極結構，相鄰兩個所述柵極結構之間形成有沿第二方向延伸的間隙；

在所述半導體襯底的隔離區上表面形成多個高度調節單元，所述多個高度調節單元在所述第一方向與所述多個柵極結構間隔排列，所述高度調節單元位于所述間隙在所述第二方向的延伸線上；

形成互連層，所述互連層填充所述間隙并延伸覆蓋所述高度調節單元；以及

形成硅化層，所述硅化層覆蓋所述互連層。

9.如權利要求8所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述柵極結構包括柵極和覆蓋于所述柵極兩側的側墻，所述高度調節單元與所述側墻利用相同的成膜和圖形化工藝形成。

10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括如權利要求1至7任一項所述的半導體器件以及與所述半導體器件相連接的電子組件。