[發明專利]一種數據讀取方法、裝置、設備及可讀存儲介質

有效

• 申請號: 201810784150.4
• 申請日: 2018-07-17
• 公開（公告）號: CN109032514B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發明（設計）人: 韓國軍;李艷福;彭子帥;方毅;蔡國發
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 羅滿

本發明公開了一種數據讀取方法，包括：接收數據讀取請求，并利用預設有硬判決參考電壓的上限估算法獲取電壓信號；計算各個閃存單元閾值電壓的偏移量，并利用各個閃存單元對應的偏移量對電壓信號進行補償，獲得補償電壓信號；獲取各個閃存單元對應的偏移值，并利用各個閃存單元對應的偏移值對補償電壓信號進行修復，獲得修復電壓信號；按照編碼規則，對修復電壓信號進行譯碼，獲得目標數據。可在保障數據可靠性的情況下，加快數據讀取速度，降低數據讀取的時延，進一步提升計算機系統的處理速度。本發明還公開了一種數據讀取裝置、設備及可讀存儲介質，具有相應的技術效果。

技術領域

本發明涉及存儲技術領域，特別是涉及一種數據讀取方法、裝置、設備及可讀存儲介質。

背景技術

閃存(Flash memory)是一種具有許多理想特性的半導體計算裝置內存，包括NOR閃存和NAND閃存兩種。其中，NAND閃存，由于其非易失性特征以及低功耗、高存儲容量、便于攜帶等優點，其應用領域從個人用電子設備延伸到了大規模數據處理中心。由于制造工藝的不斷演進，閃存設備現已采用1×nmCMOS晶體管，以及更快的讀寫進程，使得每個閃存單元可以存儲超過1bit的數據，稱之為多級閃存(Multi-Level Cell，MLC)存儲技術。

由于CMOS晶體管的特殊結構，在閃存存儲密度增加的同時，各個相鄰存儲單元之間的寄生電容耦合效應(cell-to-cell interference，CCI)也在增加。CCI是引起閃存閾值電壓分布發生改變的最主要干擾因素，進一步引起數據存儲可靠性問題、增加信道檢測難度以及閃存控制器中編譯碼器的設計復雜度。

現有的，檢測閃存單元閾值電壓采用常規后補償的方式來消除CCI，常規后補償檢測算法策略實際使用后補償技術有兩個問題。一、是讀放大，由于其他頁干擾數據應該首先被讀出，這樣實際要讀出頁的個數就會增加，這就是讀放大。讀放大會導致閃存控制器和閃存芯片讀時延增加，以及增加閃存芯片和控制器之間的負載。二、細密紋理檢測，為了提供精度更高，獲得更有效的補償值，利用細密紋理檢測技術，例如閃存存儲數據為2比特/單元(bit/cell)，需要用4比特或更高檢測精度來讀取每個單元閾值電壓，這樣會增加片外通信鏈路負載，降低讀速度，同樣會造成比較大的時延。

綜上所述，如何有效地解決內存數據讀取速度等問題，是目前本領域技術人員急需解決的技術問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種數據讀取方法、裝置、設備及可讀存儲介質，以實現提高數據讀取速度，降低時延。

為解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：

一種數據讀取方法，包括：

接收數據讀取請求，并利用預設有硬判決參考電壓的上限估算法獲取電壓信號；其中，所述電壓信號包括與所述數據讀取請求對應的各個閃存單元的閾值電壓；

計算各個閃存單元閾值電壓的偏移量，并利用各個閃存單元對應的偏移量對所述電壓信號進行補償，獲得補償電壓信號；

獲取各個閃存單元對應的偏移值，并利用各個閃存單元對應的偏移值對所述補償電壓信號進行修復，獲得修復電壓信號；

按照編碼規則，對所述修復電壓信號進行譯碼，獲得目標數據。

優選地，所述獲取各個閃存單元對應的偏移值，包括：

計算各個干擾單元的先驗信息；

利用各個干擾單元的先驗信息計算理論干擾量；

計算各個閃存單元閾值電壓的實際干擾量；

利用高斯擬合法，確定所述理論干擾量與所述實際干擾量的差值分布的概率密度函數；

利用所述概率密度函數，確定各個閃存單元對應的偏移值。