[發(fā)明專利]一種非易失存儲器檢測電路及檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810772570.0
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN110718259B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 馬思博;賈少旭;舒清明
• 申請（專利權(quán)）人: 西安格易安創(chuàng)集成電路有限公司;北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G11C5/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本發(fā)明實施例提供了一種非易失存儲器檢測電路及檢測方法，該電路包括：補償電路與充電電路連接，用于補償非易失存儲器檢測電路的閾值偏差；充電電路與存儲單元選擇電路連接，用于在初始時，對存儲單元選擇電路進行充電；充電電路與比較電路連接，用于當存儲單元選擇電路充電穩(wěn)定后，對比較電路進行充電，且，當比較電路充電穩(wěn)定后，結(jié)束對比較電路和存儲單元選擇電路的充電；存儲單元選擇電路通過充電電路，與比較電路構(gòu)成電流回路，以使比較電路根據(jù)電流回路輸出高電平或低電平。本發(fā)明實施例通過補償電路可以補償檢測電路的部分閾值偏差，使得檢測電路能精確的檢測出非易失存儲器中各存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及存儲器處理技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種非易失存儲器檢測電路及檢測方法。

背景技術(shù)

隨著各種電子裝置及嵌入式系統(tǒng)等的發(fā)展，非易失性存儲器件被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中。以非易失性存儲器NAND閃存(NAND Flash Memory)為例， NAND存儲器由多個存儲單元(cell)組成，存儲單元可以是負閾值存儲單元，即導(dǎo)通閾值電壓是負值的存儲單元；也可以是正閾值存儲單元，即導(dǎo)通閾值電壓是正值的存儲單元；根據(jù)存儲單元工作時的導(dǎo)通電流，可以讀取存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)，例如擦除狀態(tài)、編程狀態(tài)等。

現(xiàn)有技術(shù)的非易失存儲器檢測電路中，晶體管的閾值電壓會隨著集成電路工藝、工作電壓或工作溫度環(huán)境等的變化而變化，導(dǎo)致通過晶體管中的電流不穩(wěn)定，使得檢測電路不能精確的檢測出非易失存儲器中各存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述問題，提出了本發(fā)明實施例的一種非易失存儲器檢測電路及檢測方法，以提高對存儲單元數(shù)據(jù)檢測的準確度。

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種非易失存儲器檢測電路，所述方法包括：

補償電路、充電電路、比較電路、存儲單元選擇電路；

所述補償電路與所述充電電路連接，用于補償所述非易失存儲器檢測電路的閾值偏差；

所述充電電路與所述存儲單元選擇電路連接，用于在初始時，對所述存儲單元選擇電路進行充電；

所述充電電路與所述比較電路連接，用于當所述存儲單元選擇電路充電穩(wěn)定后，對所述比較電路進行充電，且，當所述比較電路充電穩(wěn)定后，結(jié)束對所述比較電路和所述存儲單元選擇電路的充電；

所述存儲單元選擇電路通過所述充電電路，與所述比較電路構(gòu)成電流回路，以使所述比較電路根據(jù)所述電流回路輸出高電平或低電平；

所述比較電路的輸出端作為所述非易失存儲器檢測電路的輸出端。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種非易失存儲器處理檢測方法，應(yīng)用于上述的非易失存儲器檢測電路中，所述檢測方法包括：

在所述存儲單元選擇電路中確定待檢測存儲單元；

通過所述充電電路對所述存儲單元選擇電路充電；

當所述存儲單元選擇電路充電穩(wěn)定后，通過所述充電電路對所述比較電路的第二輸入端充電；其中，所述比較電路的第一輸入端設(shè)置有比較電壓 VTH；

當所述比較電路的第二輸入端充電穩(wěn)定后，結(jié)束對所述存儲單元選擇電路和所述比較電路的充電，且，通過控制所述充電電路使所述存儲單元選擇電路與所述比較電路構(gòu)成電流回路；

根據(jù)所述電流回路確定所述待檢測存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

本發(fā)明實施例中，設(shè)置了補償電路，通過補償電路可以補償檢測電路的部分閾值偏差，使得非易失存儲器檢測電路在進行存儲單元檢測時，減少因為充電電路的晶體管閾值偏差帶來電流不穩(wěn)定，使得檢測電路能精確的檢測出非易失存儲器中各存儲單元的數(shù)據(jù)狀態(tài)。