[發明專利]一種非易失存儲器檢測電路及檢測方法

有效

• 申請號: 201810772570.0
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN110718259B
• 公開（公告）日: 2021-08-20
• 發明（設計）人: 馬思博;賈少旭;舒清明
• 申請（專利權）人: 西安格易安創集成電路有限公司;北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/30
• 分類號: G11C16/30;G11C5/14;G11C16/34
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種非易失存儲器檢測電路，其特征在于，所述電路包括：

補償電路、充電電路、比較電路、存儲單元選擇電路；

所述補償電路與所述充電電路連接，用于補償所述非易失存儲器檢測電路的閾值偏差；

所述充電電路與所述存儲單元選擇電路連接，用于在初始時，對所述存儲單元選擇電路進行充電；

所述充電電路與所述比較電路連接，用于當所述存儲單元選擇電路充電穩定后，對所述比較電路進行充電，且，當所述比較電路充電穩定后，結束對所述比較電路和所述存儲單元選擇電路的充電；

所述存儲單元選擇電路通過所述充電電路，與所述比較電路構成電流回路，以使所述比較電路根據所述電流回路輸出高電平或低電平；

所述比較電路的輸出端作為所述非易失存儲器檢測電路的輸出端；

所述充電電路包括：

NMOS晶體管M1、M2、M3、第一電源VDD；

所述M1的漏極與所述第一電源VDD連接；

所述M1的源極與所述M3的漏極連接，以作為所述充電電路與所述比較電路的連接端，為所述比較電路充電；

所述M2的漏極與所述第一電源VDD連接；

所述M2的源極與所述M3的源極連接，以作為所述充電電路與所述存儲單元選擇電路的連接端，為所述存儲單元選擇電路充電。

2.根據權利要求1所述的電路，其特征在于，所述補償電路包括：

NMOS晶體管M5，第二電源VCC，第三電源模塊VPRE；

所述M5的柵極、所述M5的漏極、所述M1的柵極與所述第二電源VCC連接；

所述M5的源極與所述第三電源模塊VPRE連接。

3.根據權利要求2所述的電路，其特征在于，所述補償電路還包括：

NMOS晶體管M6；所述M6的柵極、所述M5的漏極與所述第三電源模塊VPRE連接。

4.根據權利要求3所述的電路，其特征在于，所述比較電路包括：

比較器，所述比較器的第一輸入端設置有比較電壓VTH，所述比較器的第二輸入端與所述M1的源極連接，以接收所述充電電路的充電電壓；

所述比較器的第二輸入端與所述M3的漏極連接，以通過所述M3與所述存儲單元選擇電路構成電流回路；

電容C，所述電容C的第一端與所述比較器的第二輸入端連接，所述電容C的第二端接地。

5.根據權利要求4所述的電路，其特征在于，所述存儲單元選擇電路包括：

NMOS晶體管M4、存儲單元確定模塊；

所述M4的漏極與所述M3的源極連接；

所述M4的源極與所述存儲單元確定模塊的輸出端連接。

6.一種非易失存儲器檢測方法，其特征在于，應用于如權利要求1至4任一所述的非易失存儲器檢測電路中，所述方法包括：

在所述存儲單元選擇電路中確定待檢測存儲單元；

通過所述充電電路對所述存儲單元選擇電路充電；

當所述存儲單元選擇電路充電穩定后，通過所述充電電路對所述比較電路的第二輸入端充電；其中，所述比較電路的第一輸入端設置有比較電壓VTH；

當所述比較電路的第二輸入端充電穩定后，結束對所述存儲單元選擇電路和所述比較電路的充電，且，通過控制所述充電電路使所述存儲單元選擇電路與所述比較電路構成電流回路；

根據所述電流回路確定所述待檢測存儲單元的數據狀態。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述充電電路包括：NMOS晶體管M2；

所述通過所述充電電路對所述存儲單元選擇電路充電的步驟包括：

控制所述充電電路的M2導通，對所述存儲單元選擇電路充電。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述充電電路包括：NMOS晶體管M1；

所述當所述存儲單元選擇電路充電穩定后，通過所述充電電路對所述比較電路的第二輸入端充電的步驟包括：

當所述存儲單元選擇電路充電穩定后，控制所述充電電路的M1導通，對所述比較電路的第二輸入端充電。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述充電電路包括：NMOS晶體管M3；

所述通過控制所述充電電路使所述存儲單元選擇電路與所述比較電路構成電流回路的步驟包括：

控制所述充電電路的M3導通，使所述存儲單元選擇電路與所述比較電路構成電流回路。