[發明專利]一種基于調控ZIF-8薄膜暴露晶面比例的方法有效
| 申請號： | 201810771292.7 | 申請日： | 2018-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN108892392B | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 田守勤;劉秋芬;吳森偉 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | C03C17/32 | 分類號： | C03C17/32;C08G83/00 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐萬榮 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 調控 zif 薄膜 暴露 比例 方法 | ||
1.一種基于調控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面與{211}晶面相對強度的比例的方法，其特征在于，包含如下步驟：
a、將Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑混合溶解于溶劑中配制ZIF-8溶膠；
b、薄膜襯底的清洗；
c、ZIF-8溶膠在襯底上旋涂成膜；
d、旋涂成膜后的樣品的熱處理；
步驟a中所述Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑的摩爾比為1:6~20；所述2-甲基咪唑和溶劑的比例為0.025摩爾：10~25ml；
步驟a中所述溶劑選自甲醇。
2.如權利要求1所述的基于調控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面與{211}晶面相對強度的比例的方法，其特征在于：步驟a中所述ZIF-8溶膠的具體配置過程為，將Zn(OAc)2·2H2O和2-甲基咪唑與溶劑混合，室溫攪拌至少24h，得到均勻的白色懸濁液，即ZIF-8溶膠。
3.如權利要求1所述的基于調控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面與{211}晶面相對強度的比例的方法，其特征在于：步驟b中所述的薄膜襯底為FTO導電玻璃，即F摻雜的SnO2導電玻璃；所述清洗過程為先用洗潔精手洗襯底，接著依次采用洗潔精溶液、二用酒精、去離子水以及新酒精超聲清洗，每次超聲時間為40-60min。
4.如權利要求1所述的基于調控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面與{211}晶面相對強度的比例的方法，其特征在于：所述步驟c所述的旋涂成膜方法如下，將步驟b清洗后的襯底置于旋涂儀平臺上，采用滴管滴加的方式將ZIF-8溶膠均勻涂覆在襯底上，利用旋涂儀的離心力均勻鍍膜。
5.如權利要求4所述的基于調控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面與{211}晶面相對強度的比例的方法，其特征在于：所述旋涂儀中參數的設定為：第一步轉速500rp/min，時間10s，第二步轉速3000rp/min，時間15s，旋涂一次即得到透明薄膜；利用上述的旋涂方法，旋涂不同配比的ZIF-8溶膠可得到不同暴露晶面比例的ZIF-8濕膜。
6.如權利要求1所述的基于調控ZIF-8薄膜暴露{110}晶面與{211}晶面相對強度的比例的方法，其特征在于：步驟d中關于旋涂后的ZIF-8濕膜的熱處理過程如下，將步驟c所得的濕膜在70℃加熱板上熱處理2h，隨后將加熱板溫度調制100℃保溫30min-1h即得到熱處理后的不同暴露晶面比例的ZIF-8薄膜。
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