[發明專利]薄膜、薄膜太陽能電池及其制備方法在審
| 申請號: | 201810769820.5 | 申請日: | 2018-07-13 |
| 公開(公告)號: | CN110718606A | 公開(公告)日: | 2020-01-21 |
| 發明(設計)人: | 徐強;白安琪;郭會永 | 申請(專利權)人: | 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司: | 11348 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
| 地址: | 100176 北京市大興區北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 沉積層 樹脂膜層 阻水性能 薄膜 薄膜太陽能電池 無機材料 封蓋 沉積 制備 薄膜技術領域 無機薄膜層 覆蓋膜層 | ||
本發明實施例是關于一種薄膜、薄膜太陽能電池及其制備方法,涉及薄膜技術領域,主要解決的技術問題是覆蓋膜層阻水性能較差。主要采用的技術方案為:一種薄膜的制備方法包括:采用第一沉積工藝在樹脂膜層的表面上形成第一沉積層,使第一沉積層樹脂膜層的表面的表孔被封蓋;采用第二沉積工藝在所述第一沉積層上形成無機材料的第二沉積層。本發明的實施例中,由于樹脂膜層本身的表孔被第一沉積層封蓋,使得無機材料的第二沉積層形成的無機薄膜層具備較好的阻水性能,薄膜、薄膜太陽能電池的阻水性能較高。
技術領域
本發明實施例涉及薄膜技術領域,特別是涉及一種薄膜、薄膜太陽能電池及其制備方法。
背景技術
相較于常規的晶體硅太陽能,薄膜太陽能電池具有重量輕、厚度薄、可折疊等多種優點,且易于實現規模的商業化生產,是光伏發電高效的太陽能電池。
薄膜太陽能電池通常包括襯底層、光電轉化層、覆蓋膜層。其中,由于薄膜太陽能電池通常處于環境較為苛刻的環境當中,在風吹、雨淋、日曬的多種條件下,覆蓋膜層需要其具有較高的透光效率的同時,還需要具有較好的阻水性、隔氧性等,其中,普通的薄膜太陽能電池的覆蓋膜層的阻水性能要求需要達到了10-4g/m2/天以下。
其中,覆蓋膜層有多層樹脂構造而成,覆蓋膜層的表層為含氟的透明聚合物,主要作用為增強、耐候、抗紫外、防潮、低介電常數、高擊穿電壓等。覆蓋膜層的底層為表面處理后的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等樹脂,主要作用為阻水、隔氧,表層和底層之間由粘結劑進行粘連。
覆蓋膜層的底層處理過程為在PET或PEN的表面采用原子層沉積法(Atom LayerDeposition,簡寫ALD)沉積一薄層無機材料,以制備滿足市場需求較薄的覆蓋薄層,經測試后,較薄的覆蓋薄層阻水性能小于10-4g/m2/天,無法滿足超薄高阻水的性能要求。
發明內容
有鑒于此,本發明實施例提供一種薄膜、薄膜太陽能電池及其制備方法,主要解決的技術問題是覆蓋膜層阻水性能較差。
為達到上述目的,本發明實施例主要提供如下技術方案:
一方面,本發明的實施例提供一種薄膜的制備方法,包括:
采用第一沉積工藝在樹脂膜層的表面上形成第一沉積層,使第一沉積層樹脂膜層的表面的表孔被封蓋;
采用第二沉積工藝在所述第一沉積層上形成無機材料的第二沉積層。
本發明實施例的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。
可選的,前述的制備方法,其中所述第一沉積工藝的側壁階梯覆蓋率小于所述第二沉積工藝的側壁階梯覆蓋率。
可選的,前述的制備方法,其中所述第一沉積工藝為化學氣相沉積(ChemicalVapor Deposition,簡寫CVD)工藝。
可選的,前述的制備方法,其中所述化學氣相沉積工藝的沉積溫度在50-150攝氏度,壓力在10豪托-100托,等離子體功率為10-1000瓦,反應間距為1-100密耳。
可選的,前述的制備方法,其中所述第二沉積工藝為原子層沉積(Atom LayerDeposition,簡寫ALD)工藝。
可選的,前述的制備方法,其中所述樹脂膜層的材質為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚丙烯(PP)或聚酰胺(PA)或聚對苯二甲酸四次甲基酯(PBT)或聚酰亞胺(PI)或尼龍;
所述第一沉積層的材料為SiO2或Si3N4或Al2O3或TiN;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司,未經北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810769820.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:太陽能電池片的燒結方法、降低光致衰減方法
- 下一篇:N型太陽能電池的制作方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





