[發明專利]薄膜、薄膜太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201810769820.5
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN110718606A
• 公開（公告）日: 2020-01-21
• 發明（設計）人: 徐強;白安琪;郭會永
• 申請（專利權）人: 北京鉑陽頂榮光伏科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 11348 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 王偉鋒;劉鐵生

1.一種薄膜的制備方法，其特征在于，包括：

采用第一沉積工藝在樹脂膜層的表面上形成第一沉積層，使第一沉積層樹脂膜層的表面的表孔被封蓋；

采用第二沉積工藝在所述第一沉積層上形成無機材料的第二沉積層。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，

所述第一沉積工藝的側壁階梯覆蓋率小于所述第二沉積工藝的側壁階梯覆蓋率。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，

所述第一沉積工藝為化學氣相沉積CVD工藝。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，

所述化學氣相沉積工藝的沉積溫度在50-150攝氏度，壓力在10豪托-100托，等離子體功率為10-1000瓦，反應間距為1-100密耳。

5.根據權利要求1-4中任一所述的制備方法，其特征在于，

所述第二沉積工藝為原子層沉積ALD工藝。

6.根據權利要求1-4中任一所述的制備方法，其特征在于，

所述樹脂膜層的材質為聚對苯二甲酸乙二醇酯PET或聚萘二甲酸乙二醇酯PEN或聚甲基丙烯酸甲酯PMMA或聚丙烯PP或聚酰胺PA或聚對苯二甲酸四次甲基酯PBT或聚酰亞胺PI或尼龍；

所述第一沉積層的材料為SiO₂或Si₃N₄或Al₂O₃或TiN；

所述第二沉積層的無機材料為Al₂O₃或TiN或TiO₂。

7.一種薄膜，其特征在于，包括：

樹脂膜層；

第一沉積層，封蓋所述樹脂膜層的表面的表孔；

無機材料的第二沉積層，設置于所述第一沉積層。

8.根據權利要求7所述的薄膜，其特征在于，

所述第一沉積層的厚度在10-100nm；

所述第二沉積層的厚度在10-100nm。

9.一種薄膜太陽能電池表面膜層，其特征在于，包括：

含氟膜，含氟膜的材質為乙烯-四氟乙烯共聚物ETFE或聚氟乙烯PVF或聚偏二氟乙烯PVDF；

薄膜，所述薄膜采用上述權利要求7-8中任一所述的薄膜，所述薄膜與所述含氟膜貼合。

10.一種薄膜太陽能電池，其特征在于，包括：

權利要求9所述的薄膜太陽能電池表面膜層；

襯底層；

光電轉化層，位于所述薄膜太陽能電池表面膜層與所述襯底層之間，所述含氟膜外露。