[發明專利]基片位置調整方法、存儲介質和基片處理系統

在審

• 申請號: 201810769287.2
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN109256329A
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 早川誠
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

本發明提供一種基片位置調整方法、存儲介質和基片處理系統。即使在不設置具有調節送出時的晶片的方向的功能的處理裝置，也能夠在小型的基片處理系統中短時間且低成本進行旋轉式處理時的晶片的對位。本方法包括：由抗蝕劑涂敷裝置實施EBR處理的旋轉式處理步驟；由檢查裝置的拍攝裝置對被實施了旋轉處理的晶片進行拍攝的拍攝步驟；獲取預先存儲的、使晶片從抗蝕劑涂敷裝置移動至檢查裝置期間晶片的方向發生變化的量的信息即變化量信息的變化量信息獲取步驟；基于拍攝步驟的拍攝結果，獲取沿晶片的周向的抗蝕劑膜的除去寬度的信息作為實施結果信息的結果信息獲取步驟；和基于變化量信息和實施結果信息，修正EBR處理時的基片的位置的修正步驟。

技術領域

本發明涉及在具有旋轉處理裝置的基片處理系統中的、對旋轉式處理時的基片的位置進行調整的基片位置調整方法、存儲介質和基片處理系統，其中，上述旋轉處理裝置是一邊使基片旋轉一邊對該基片實施作為規定處理的旋轉式處理的裝置。

背景技術

例如在半導體器件的制造工藝中的光刻步驟中，例如依次進行在半導體晶片(以下稱為“晶片”)上涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜的抗蝕劑涂敷處理、將抗蝕劑膜曝光為規定的圖案的圖案曝光處理、對曝光后的抗蝕劑膜進行顯影的顯影處理等，由此，在晶片上形成規定的抗蝕劑圖案。該一系列的處理由作為基片處理系統的涂敷顯影處理系統進行，該涂敷顯影處理系統搭載有處理晶片的各種處理裝置、運送晶片的運送機構、載置用于收納一系列的處理前的晶片和一系列的處理后的晶片的晶片盒的晶片盒載置臺等。此外，在抗蝕劑涂敷處理中，使晶片繞與晶片表面正交的軸(以下，正交軸)旋轉，并將抗蝕劑液涂敷在晶片表面，由此形成抗蝕劑膜。

另外，作為涂敷顯影處理系統包括：具有進行周邊曝光處理的周邊曝光裝置的處理系統(參照專利文獻1)、所謂的具有進行大缺陷檢查的檢查裝置的處理系統。周邊曝光處理是在圖案曝光處理前將抗蝕劑膜的周緣部有選擇地曝光的處理，另外，大缺陷檢查中，利用拍攝裝置拍攝晶片的表面整體，基于拍攝結果判定晶片表面的缺陷的有無。

此外，在維持向周邊曝光裝置送入時的晶片的方向不變的狀態下從周邊曝光裝置送出時，晶片的方向有時成為不適合后段的圖案曝光處理的方向。因此，周邊曝光裝置具有調節從該周邊曝光裝置送出時的晶片的方向的送出時方向調節功能。使從周邊曝光裝置送出時的晶片的方向成為所期望的方向，不需要在圖案曝光時的曝光裝置中的晶片的方向調節，能夠縮短在曝光裝置中的處理時間。

并且，作為涂敷顯影處理系統，將在曝光前進行除去晶片周緣部的抗蝕劑膜的EBR(Edge Bead Removal：邊緣球狀物去除)處理的功能設置在進行抗蝕劑涂敷處理的抗蝕劑涂敷裝置(專利文獻2參照)。在抗蝕劑涂敷裝置中的EBR處理中，一邊使晶片繞正交軸旋轉，一邊對晶片的周緣部供給抗蝕劑膜的溶劑，由此呈環狀地除去晶片周緣部的抗蝕劑膜。

EBR處理中的抗蝕劑膜的除去寬度要求在沿晶片的周向上是一定的。在上述除去寬度不一定的情況下，晶片上的半導體器件的形成區域的抗蝕劑膜被除去，有時產生不良產品的半導體器件。如上所述，為了使EBR處理中的除去寬度一定，需要對EBR處理時的晶片進行對位，以使得晶片的中心與EBR處理時的晶片的旋轉軸一致。

晶片的對位能夠使用例如由上述的檢查裝置拍攝對位用的EBR處理后的晶片的結果。具體來講，根據拍攝結果，檢測沿著晶片的周向的EBR處理時的除去寬度，基于該檢測結果，以使除去寬度成為一定的方式修正EBR處理時的晶片的位置，由此來進行對位。