[發明專利]一種基于SiC二極管的三相改進型雙Buck/Boost變流器

在審

• 申請號: 201810769277.9
• 申請日: 2018-07-13
• 公開（公告）號: CN108683345A
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 張敏;馬自應
• 申請（專利權）人: 南京德匯電氣有限責任公司
• 主分類號: H02M7/219
• 分類號: H02M7/219;H02M1/12
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種基于SiC二極管的三相改進型雙Buck/Boost的變流器，包括直流側和交流側，其特征是，包括直流側電容(C_in1)和(C_in2)、A相上橋IGBT管(S_a1)、A相下橋IGBT管(S_a2)、A相交流IGBT開關(S_a3)和(S_a4)、B相上橋IGBT管(S_b1)、B相下橋IGBT管(S_b2)、B相交流IGBT開關(S_b3)和(S_b4)、C相上橋IGBT管(S_c1)、C相下橋IGBT管(S_c2)、C相交流IGBT開關(S_c3)和(S_c4)、A相上橋續流二極管(D_a1)、A相下橋續流二極管(D_a2)、B相上橋續流二極管(D_b1)、B相下橋續流二極管(D_b2)、C相上橋續流二極管(D_c1)、C相下橋續流二極管(D_c2)；

所述A相上橋IGBT管(S_a1)的E極與A相下橋續流二極管(D_a2)的陰極相連于連接點O_a，A相上橋續流二極管(D_a1)的陽極與A相下橋IGBT管(S_a2)的C相連于連接點M_a，所述B相上橋IGBT管(S_b1)的E極與B相下橋續流二極管(D_b2)的陰極相連于連接點O_b，B相上橋續流二極管(D_b1)的陽極與B相下橋IGBT管(S_a2)的C極相連于連接點M_b，所述C相上橋IGBT管(S_c1)的E極與C相下橋續流二極管(D_c2)的陰極相連于連接點O_c，C相上橋續流二極管(D_c1)的陽極與C相下橋IGBT管(S_c2)的C極相連于連接點M_c；

A相連接點O_a和直流電容器與電源中性點(N’)之間連接A相交流IGBT開關(S_a3)，所述A相交流IGBT開關S_a3的E極相連于連接點O_a且C極相連于直流電容器與電源中性點(N’)，A相連接點M_a和直流電容器與電源中性點(N’)之間連接A相交流IGBT開關(S_a4)，所述A相交流IGBT開關S_a4的C極相連于M_a、S_a4的E極相連于直流電容器與電源中性點(N’)；B相連接點O_b和直流電容器與電源中性點(N’)之間連接B相交流IGBT開關(S_b3)，所述B相交流IGBT開關S_b3的E極相連于連接點O_b、S_b3的C極相連于直流電容器與電源中性點(N’)，B相連接點M_b和直流電容器與電源中性點(N’)之間連接B相交流IGBT開關(S_b4)，所述B相交流IGBT開關S_b4的C極相連于連接點M_b、S_b4的E極相連于直流電容器與電源中性點(N’)；C相連接點O_c和直流電容器與電源中性點(N’)之間連接C相交流IGBT開關(S_c3)，所述C相交流IGBT開關S_c3的E極相連于連接點O_c、S_c3的C極相連于直流電容器與電源中性點(N’)，C相連接點M_c和直流電容器與電源中性點(N’)之間增加C相交流IGBT開關(S_c4)，所述C相交流IGBT開關S_c4的C極相連于連接點M_c、S_c4的E極相連于直流電容器與電源中性點(N’)；

所述A相上橋續流二極管(D_a1)、A相下橋續流二極管(D_a2)、B相上橋續流二極管(D_b1)、B相下橋續流二極管(D_b2)、C相上橋續流二極管(D_c1)、和C相下橋續流二極管(D_c2)均采用SiC肖特基二極管。