[發明專利]SRAM版圖的OPC修正方法有效

申請號：	201810768912.1	申請日：	2018-07-13
公開（公告）號：	CN109031880B	公開（公告）日：	2022-03-18
發明（設計）人：	陳燕鵬;趙璇;于世瑞	申請（專利權）人：	上海華力集成電路制造有限公司
主分類號：	G03F1/36	分類號：	G03F1/36
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	焦天雷
地址：	201315 上海市浦東新區中國（上***	國省代碼：	上海;31
權利要求書：	查看更多	說明書：	查看更多
摘要：
搜索關鍵詞：	sram 版圖 opc 修正方法
鉆瓜網技術展會專利詞庫專利權人專利榜在售專利公布日期熱門專利

【說明書】：

本發明提供一種針對SRAM版圖的OPC修正方法，將SRAM版圖劃分為中間區域、過渡區域和邊界區域，通過Calibre pxOPC工具對SRAM版圖的重復單元截圖進行修正，得到SRAM最小重復單元的掩模板圖形，使用Calibre Pattern Match工具將SRAM最小重復單元的掩模板圖形匹配添加到SRAM版圖中間區域，之后對SRAM版圖的過渡區域和邊界區域進行OPC修正，得到SRAM版圖最終的掩模板圖層。該方法可以大大縮減OPC運算時間，且保證了SRAM版圖中間重復單元區域的掩模板尺寸的一致性。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種關鍵尺寸在22nm及以下SRAM版圖的OPC(光學鄰近效應矯正)修正方法。

背景技術

隨著半導體技術的發展，器件關鍵尺寸越來越小，工藝節點達到16納米或14納米及以下時，一般都采用將一層版圖拆分成多層，光刻工藝進行多次曝光的方法，用以解決DUV光刻機光源波長達到極限的限制。工藝節點在20納米或22納米時，對于未使用多層拆分的版圖的OPC修正則遇到的是前所未有的難度，版圖中的線寬和間距均是機臺所能承受的極限值，所以OPC的難度是非常巨大的。

Calibre軟件的pxOPC產品經常用來解決OPC在修正過程中遇到的一些問題，諸如圖形斷開，橋連，因掩模板規則限制而無法修到目標等問題。pxOPC主要的特點是將掩模板層中圖形的分段設置得很小，且會添加合理的非規則形狀的亞顯影輔助圖形。所以pxOPC修正的過程極其復雜，且時間較久，一般只用來對版圖的小部分截圖進行運算，不適宜進行完整的版圖運算。所以常規OPC方法在遇到難以修正的結構時，往往通過借鑒pxOPC的結果作為參考，調整掩模板的分段和結構以及優化亞顯影輔助圖形等方法進行修正，但是需要大幅修改OPC腳本才能使得修正得到的掩模板形狀的結果與pxOPC運算得到的形狀接近。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種適用于關鍵尺寸在22nm及以下工藝，能節約運算修改時間，提高掩模板生成速度的SRAM版圖的OPC修正方法。

為解決上述技術問題，本發明提供一種SRAM版圖的OPC修正方法，包括以下步驟：

1)將SRAM版圖劃分為中間區域、過渡區域和邊界區域；

中間區域，SRAM版圖中重復單元布圖的區域；

過渡區域，自中間區域邊界起向中間區域中心方向延伸預設寬度的區域；

邊界區域，SRAM版圖中去除中間區域和過渡區域剩余的區域；

2)對SRAM版圖中重復單元截圖進行pxOPC修正獲得最小重復單元掩模板；

3)將最小重復單元掩模板對應放置在中間區域的各個SRAM版圖最小重復單元上形成中間掩模板；

4)對過渡區域進行OPC修正獲得過渡掩模板；

5)對邊界區域進行OPC修正獲得邊界掩模板；

6)將中間掩模板、過渡掩模板和邊界掩模板拼接形成SRAM版圖膜板。