[發明專利]SRAM版圖的OPC修正方法有效
| 申請號： | 201810768912.1 | 申請日： | 2018-07-13 |
| 公開（公告）號： | CN109031880B | 公開（公告）日： | 2022-03-18 |
| 發明（設計）人： | 陳燕鵬;趙璇;于世瑞 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦東新區中國（上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sram 版圖 opc 修正 方法 | ||
1.一種SRAM版圖的OPC修正方法，其用于關鍵尺寸在22nm及以下SRAM版圖的OPC修正，其特征在于，包括以下步驟：
1）將SRAM版圖劃分為中間區域、過渡區域和邊界區域；
中間區域，SRAM版圖中重復單元布圖的區域；
過渡區域，自中間區域邊界起向中間區域中心方向延伸預設寬度的區域；
邊界區域，SRAM版圖中去除中間區域和過渡區域剩余的區域；
2）對SRAM版圖中重復單元截圖進行pxOPC修正，截取SRAM版圖部分至少包括5*5個SRAM版圖最小重復單元，獲得最小重復單元掩模板；
3）將最小重復單元掩模板對應放置在中間區域的各個SRAM版圖最小重復單元上形成中間掩模板；
4）對過渡區域進行OPC修正獲得過渡掩模板；
5）對邊界區域進行OPC修正獲得邊界掩模板；
6）將中間掩模板、過渡掩模板和邊界掩模板拼接形成SRAM版圖膜板；
其中，所述預設寬度為大于5個最小重復單元尺寸。
2.如權利要求1所述的SRAM版圖的OPC修正方法，其特征在于：實施步驟2）時，截取SRAM版圖的一部分進行pxOPC修正，獲取SRAM版圖中最小重復單元的最小重復單元掩模板。
3.如權利要求1所述的SRAM版圖的OPC修正方法，其特征在于：實施步驟2）時，截取SRAM版圖中間區域的一部分進行pxOPC修正，獲取SRAM版圖中最小重復單元的最小重復單元掩模板。
4.如權利要求2所述的SRAM版圖的OPC修正方法，其特征在于：通過Calibre PatternMatch軟件進行最小重復單元查找和匹配。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
