[發(fā)明專利]圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810768676.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-13 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109256480A | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金東鉉;金義秀;李鉉海;李俊英;尹健尚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 康寧精密材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;吳啟超 |
| 地址: | 韓國忠*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 第一層 散射層 基底 第一表面 第一區(qū)域 多層結(jié)構(gòu) 平面化層 圖案化 表面暴露 光提取 移除 制造 | ||
一種圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法,以及一種制造OLED裝置的光提取基底的方法。在基底的第一表面上形成其中具有多個(gè)空隙的第一層或散射層。在所述第一層或所述散射層上形成第二層或平面化層,使得所述第一層或所述散射層的第一區(qū)域的表面暴露,其中所述第二層或所述平面化層的材料的一部分滲透到所述多個(gè)空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分。移除所述第一層或所述散射層的所述第一區(qū)域。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)要求2017年7月14日提交的韓國專利申請(qǐng)序列號(hào)10-2017-0089630的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,所述申請(qǐng)的內(nèi)容是本文的依托并且以全文引用的方式并入本文。
本公開涉及一種圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法,并且更具體地,涉及一種通過在第一層上形成第二層,使得所述第一層的一部分區(qū)域暴露,然后移除所述第一層的所述部分區(qū)域來圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法。
背景技術(shù)
在基底上形成的多層結(jié)構(gòu)被制造并在多種技術(shù)領(lǐng)域中用作中間產(chǎn)品或最終產(chǎn)品。例如,多層結(jié)構(gòu)可制造為例如制作顯示裝置、半導(dǎo)體裝置和照明裝置的過程中的中間產(chǎn)品。此類多層結(jié)構(gòu)的層需要圖案化成具有預(yù)定的大小以及準(zhǔn)確定位的形狀。
就這一點(diǎn)而言,第一,可考慮從一開始便形成多層結(jié)構(gòu)的具有預(yù)定的大小和準(zhǔn)確定位的形狀的層。但是,這需要多層結(jié)構(gòu)的層被準(zhǔn)確對(duì)齊。因此,這可能增加工藝難度并且需要昂貴的對(duì)齊設(shè)備,從而增加加工成本。
作為第二選項(xiàng),可考慮形成多層結(jié)構(gòu)的層,然后移除多層結(jié)構(gòu)的層的一部分以得到預(yù)定的大小和準(zhǔn)確定位的形狀。但是,這種方法還伴隨有一些問題,諸如最終產(chǎn)生的多層結(jié)構(gòu)邊緣的品質(zhì)低和由殘余粒子所致的表面污染。因此,需要一種新穎的能夠克服這些困難的方法。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的各種方面提供一種克服現(xiàn)有問題的圖案化多層結(jié)構(gòu)的改良方法,所述問題諸如所得多層結(jié)構(gòu)邊緣的品質(zhì)低和由殘余粒子所致的表面污染。
根據(jù)一個(gè)方面,圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法可包括:在基底的第一表面上由第一層材料形成第一層,使得所述第一層中形成多個(gè)空隙;在所述第一層上由第二層材料形成第二層,使得所述第一層的第一區(qū)域的表面暴露,其中一部分所述第二層材料滲透到所述第一層的所述多個(gè)空隙中以附接到所述基底的所述第一表面至少一部分;以及移除所述第一層的所述第一區(qū)域。
根據(jù)一個(gè)方面,制造有機(jī)發(fā)光二極管裝置的光提取基底的方法可包括:在基底的第一表面上由散射層材料形成散射層,使得所述光散射層中形成多個(gè)空隙;在所述散射層上由平面化層材料形成平面化層,使得所述散射層的第一區(qū)域的表面暴露,其中一部分所述平面化層材料滲透到所述散射層的所述多個(gè)空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分;以及移除所述散射層的所述第一區(qū)域。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)示例性實(shí)施方案來圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法的流程圖;
圖2是示出圖1所示的根據(jù)一些示例性實(shí)施方案來圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法的剖視圖;
圖3是示出多層結(jié)構(gòu)的平面圖,所述多層結(jié)構(gòu)是通過圖1所示的根據(jù)一些示例性實(shí)施方案來圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法來圖案化;
圖4是示出圖1所示的根據(jù)一些示例性實(shí)施方案來圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法的平面圖;
圖5是示出根據(jù)比較實(shí)施例來制造OLED裝置的方法的剖視圖;
圖6是通過圖5所示的制造OLED裝置的方法所制造的OLED裝置的發(fā)光圖像;
圖7是示出根據(jù)示例性實(shí)施方案制造OLED裝置的方法的剖視圖;
圖8是通過圖7所示的制造OLED裝置的方法所制造的OLED裝置的發(fā)光圖像;
圖9是用于形成根據(jù)示例性實(shí)施方案的光提取基底的散射層的第一分散液的電子顯微鏡圖像;
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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