[發(fā)明專利]圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810768676.3
• 申請(qǐng)日: 2018-07-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109256480A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金東鉉;金義秀;李鉉海;李俊英;尹健尚
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 康寧精密材料有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國(guó);吳啟超

1.一種圖案化多層結(jié)構(gòu)的方法，其包括：

在基底的第一表面上由第一層材料形成第一層，使得所述第一層中形成多個(gè)空隙；

在所述第一層上由第二層材料形成第二層，使得所述第一層的第一區(qū)域的表面暴露，其中一部分所述第二層材料滲透到所述第一層的所述多個(gè)空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分；以及

移除所述第一層的所述第一區(qū)域。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二層材料與所述基底的粘附力強(qiáng)于所述第一層材料與所述基底的粘附力。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一層的孔隙率大于所述第二層的孔隙率。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二層包括通過(guò)濕法涂布將所述第二層材料施加到所述第一層。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二層包括通過(guò)噴墨印刷將所述第二層材料施加到所述第一層。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中移除所述第一區(qū)域包括使用清潔溶液清潔所述第一層的所述第一區(qū)域。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述清潔溶液包含去離子水。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中移除所述第一區(qū)域包括使用噴水裝置將所述清潔溶液施加到所述第一層的所述第一區(qū)域。

9.一種制造有機(jī)發(fā)光二極管裝置的光提取基底的方法，所述方法包括：

在基底的第一表面上由散射層材料形成散射層，使得所述光散射層中形成多個(gè)空隙；

在所述散射層上由平面化層材料形成平面化層，使得所述散射層的第一區(qū)域的表面暴露，其中一部分所述平面化層材料滲透到所述散射層的所述多個(gè)空隙中以附接到所述基底的所述第一表面的至少一部分；以及

移除所述散射層的所述第一區(qū)域。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述平面化層材料與所述基底的粘附力強(qiáng)于所述散射層材料與所述基底的粘附力。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述散射層的孔隙率大于所述平面化層的孔隙率。

12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個(gè)空隙的大小在10nm至70nm的范圍內(nèi)。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述多個(gè)空隙占所述散射層的體積的20％至50％。

14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述平面化層包括通過(guò)濕法涂布將所述平面化層材料施加到所述散射層。

15.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述散射層材料包含由金屬氧化物形成的第一聚集體和由金屬氧化物形成的第二聚集體，所述第一聚集體的比表面積小于所述第二聚集體的比表面積。

16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述散射層材料包含由金屬氧化物形成的第一聚集體和由金屬氧化物形成的第二聚集體，所述第一聚集體具有與所述第二聚集體相同的化學(xué)組成和晶相以及不同的晶習(xí)。

17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述相同化學(xué)組成包括TiO₂，所述相同晶相包括金紅石結(jié)晶相或銳鈦礦結(jié)晶相，所述第一聚集體具有樹(shù)枝狀晶習(xí)，并且所述第二聚集體具有棒狀晶習(xí)。