[發明專利]柵極驅動電路在審
| 申請號: | 201810766527.3 | 申請日: | 2018-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN108877626A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 黃建中;劉俊欣 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/20 | 分類號: | G09G3/20;G11C19/28 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 上拉控制單元 上拉單元 柵極脈沖信號 柵極驅動電路 下拉控制單元 薄膜晶體管 系統低電位 下拉單元 電連接 漏電流 輸出端 下拉 氧化物薄膜晶體管 傳送控制信號 接收時鐘 脈沖信號 輸出驅動 正整數 | ||
本發明公開一種柵極驅動電路,第N級移位寄存器包含上拉單元、上拉控制單元、下拉單元以及下拉控制單元。上拉單元用以接收時鐘信號,且上拉單元電連接第N節點及輸出端;上拉控制單元電連接上拉單元,上拉控制單元接收并傳送控制信號至第N節點;下拉單元用以接收第N+1級柵極脈沖信號,并根據第N+1級脈沖信號而決定是否將輸出端下拉至系統低電位;下拉控制單元用以接收第N+1級柵極脈沖信號,并根據第N+1級柵極脈沖信號而決定是否將第N節點下拉至系統低電位;其中上拉控制單元具有第一薄膜晶體管,第一薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管,以降低漏電流,N為正整數。本發明的柵極驅動電路具有較強的輸出驅動以及較小的漏電流。
技術領域
本發明涉及一種柵極驅動電路,尤其涉及一種可降低漏電流、提高輸出能力的柵極驅動電路。
背景技術
近來,各種顯示器的產品已經相當地普及。顯示器包含顯示面板,顯示面板具有顯示區及位于顯示區外圍的非顯示區域,非顯示區域內設置有包含多級移位寄存器的柵極驅動電路,每一級移位寄存器具有輸出端,該輸出端與對應的柵極線電性連接,以提供柵極脈沖信號。隨著顯示面板的解析度越來越高,以行來說,每一行所包含的子像素個數越來越多,每個子像素所占區域越來越小,線路越來越細等,導致電容電阻負載(RC loading)越來越大,移位寄存器輸出柵極脈沖信號至對應柵極線所需要的輸出驅動越來越大。
發明內容
本發明的目的在于提供一種柵極驅動電路,其具有較強的輸出驅動以及較小的漏電流以使移位寄存器具有較穩定的電學表現。
為了達到上述目的,本發明提供一種柵極驅動電路,包含多級移位寄存器,該多級移位寄存器的第N級移位寄存器包含:
上拉單元,用以接收時鐘信號,該第N級移位寄存器具有第N節點和輸出端,且該上拉單元電連接該第N節點及該輸出端;
上拉控制單元,電連接該第N節點,該上拉控制單元接收并傳送控制信號至該第N節點;
下拉單元,電連接該輸出端,該下拉單元用以接收第N+1級柵極脈沖信號,并根據該第N+1級柵極脈沖信號而決定是否將該輸出端下拉至系統低電位;
下拉控制單元,電連接該第N節點,該下拉控制單元用以接收該第N+1級柵極脈沖信號,并根據該第N+1級柵極脈沖信號而決定是否將該第N節點下拉至該系統低電位;
其中,該上拉控制單元具有第一薄膜晶體管,該第一薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管,以降低漏電流,N為正整數。
作為可選的技術方案,該第一薄膜晶體管的柵極接收該控制信號,該第一薄膜晶體管的源極電連接該第一薄膜晶體管的柵極,該第一薄膜晶體管的漏極電連接該第N節點。
作為可選的技術方案,該上拉單元具有第二薄膜晶體管,該第二薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
作為可選的技術方案,該第二薄膜晶體管的柵極電連接該第N節點,該第二薄膜晶體管的源極接收該時鐘信號,該第二薄膜晶體管的漏極電連接該柵極線。
作為可選的技術方案,該下拉控制單元具有第三薄膜晶體管,該第三薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管。
作為可選的技術方案,該第三薄膜晶體管的柵極接收該第N+1級柵極脈沖信號,該第三薄膜晶體管的源極電連接該第N節點,該第三薄膜晶體管的漏極電連接該系統低電位。
作為可選的技術方案,該下拉單元具有第四薄膜晶體管,該第四薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
作為可選的技術方案,該第四薄膜晶體管的柵極接收該第N+1級柵極脈沖信號,該第四薄膜晶體管的源極電連接該輸出端,該第四薄膜晶體管的漏極電連接該系統低電位。
作為可選的技術方案,該第N級移位寄存器中作為開關用的薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管。
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