[發明專利]柵極驅動電路在審
| 申請號： | 201810766527.3 | 申請日： | 2018-07-12 |
| 公開（公告）號： | CN108877626A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發明（設計）人： | 黃建中;劉俊欣 | 申請（專利權）人： | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/20 | 分類號： | G09G3/20;G11C19/28 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁揮;祁建國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 上拉控制單元 上拉單元 柵極脈沖信號 柵極驅動電路 下拉控制單元 薄膜晶體管 系統低電位 下拉單元 電連接 漏電流 輸出端 下拉 氧化物薄膜晶體管 傳送控制信號 接收時鐘 脈沖信號 輸出驅動 正整數 | ||
1.一種柵極驅動電路，包含多級移位寄存器，其特征在于，該多級移位寄存器的第N級移位寄存器包含：
上拉單元，用以接收時鐘信號，該第N級移位寄存器具有第N節點和輸出端，且該上拉單元電連接該第N節點及該輸出端；
上拉控制單元，電連接該第N節點，該上拉控制單元接收并傳送控制信號至該第N節點；
下拉單元，電連接該輸出端，該下拉單元用以接收第N+1級柵極脈沖信號，并根據該第N+1級柵極脈沖信號而決定是否將該輸出端下拉至系統低電位；以及
下拉控制單元，電連接該第N節點，該下拉控制單元用以接收該第N+1級柵極脈沖信號，并根據該第N+1級柵極脈沖信號而決定是否將該第N節點下拉至該系統低電位；
其中，該上拉控制單元具有第一薄膜晶體管，該第一薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管，以降低漏電流，N為正整數。
2.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其特征在于：該第一薄膜晶體管的柵極接收該控制信號，該第一薄膜晶體管的源極電連接該第一薄膜晶體管的柵極，該第一薄膜晶體管的漏極電連接該第N節點。
3.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其特征在于：該上拉單元具有第二薄膜晶體管，該第二薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
4.根據權利要求3所述的柵極驅動電路，其特征在于：該第二薄膜晶體管的柵極電連接該第N節點，該第二薄膜晶體管的源極接收該時鐘信號，該第二薄膜晶體管的漏極電連接該輸出端。
5.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其特征在于：該下拉控制單元具有第三薄膜晶體管，該第三薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管。
6.根據權利要求5所述的柵極驅動電路，其特征在于：該第三薄膜晶體管的柵極接收該第N+1級柵極脈沖信號，該第三薄膜晶體管的源極電連接該第N節點，該第三薄膜晶體管的漏極電連接該系統低電位。
7.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其特征在于：該下拉單元具有第四薄膜晶體管，該第四薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
8.根據權利要求7所述的柵極驅動電路，其特征在于：該第四薄膜晶體管的柵極接收該第N+1級柵極脈沖信號，該第四薄膜晶體管的源極電連接該輸出端，該第四薄膜晶體管的漏極電連接該系統低電位。
9.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其特征在于：該第N級移位寄存器中作為開關用的薄膜晶體管為氧化物薄膜晶體管。
10.根據權利要求1所述的柵極驅動電路，其特征在于：該第N級移位寄存器中作為輸出用的薄膜晶體管為低溫多晶硅薄膜晶體管。
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