[發明專利]一種P型SE-PERC雙面太陽能電池及其制備方法

在審

• 申請號: 201810761650.6
• 申請日: 2018-07-12
• 公開（公告）號: CN109065658A
• 公開（公告）日: 2018-12-21
• 發明（設計）人: 林綱正;方結彬;何達能;陳剛
• 申請（專利權）人: 浙江愛旭太陽能科技有限公司;廣東愛旭科技股份有限公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 高文龍

本發明公開了一種P型SE?PERC雙面太陽能電池及其制備方法，該太陽能電池包括自下而上依次設置的背電極、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正銀電極，N型硅的正面在進行擴散之后并且在沉積正面氮化硅膜之前通過激光摻雜形成若干條相互平行的激光槽，激光槽采用間距不等的開槽區設計或者寬度不同的開槽區設計，所述激光槽的數量與正銀副柵電極的數量相等，并且一一對應，在刻蝕正面氮化硅膜印刷正銀電極時漿料落在激光槽內，形成所述的正銀副柵電極，解決正銀電極網版在印刷過程中變形造成的正銀副柵電極與激光摻雜區對位不準的問題，提高電池批量生產的穩定性。本發明同時公開了該太陽能電池的制備方法。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，具體是指一種P型SE-PERC雙面太陽能電池及其制備方法。

背景技術

晶硅太陽能電池是一種有效吸收太陽輻射能，利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件，當太陽光照在半導體P-N結上，形成新的空穴-電子對，在P-N結電場的作用下，空穴由N區流向P區，電子由P區流向N區，接通電路后就形成電流。

傳統晶硅太陽能電池基本上只采用正面鈍化技術，在硅片正面用PECVD的方式沉積一層氮化硅膜，降低少子在前表面的復合速率，可以大幅度提升晶硅電池的開路電壓和短路電流，從而提升晶硅太陽電池的光電轉換效率。

隨著對晶硅電池的光電轉換效率的要求越來越高，人們開始研究PERC背鈍化太陽電池技術。目前業界主流廠家的焦點集中在單面PERC太陽能電池的量產，而P型PERC雙面太陽能電池，由于光電轉換效率高，同時雙面吸收太陽光，發電量更高，在實際應用中具有更大的使用價值。

但是，目前P型PERC雙面太陽能電池也僅僅是一些研究機構在實驗室做的研究，如何將P型PERC雙面太陽能電池的結構進行升級優化從而適應大批量生產，有待本領域技術人員進一步探討和研究。

發明內容

本發明的目的之一是提供一種P型SE-PERC雙面太陽能電池，該太陽能電池硅片在正面擴散后通過激光摻雜形成若干條相互平行的激光槽，激光槽采用間距不等的開槽區設計或者寬度不同的開槽區設計，可以解決正銀電極網版在印刷過程中變形造成的正銀副柵電極與激光摻雜區對位不準的問題，提高電池批量生產的穩定性。

本發明的這一目的通過如下的技術方案來實現的：一種P型SE-PERC雙面太陽能電池，包括自下而上依次設置的背電極、背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜、P型硅、N型硅、正面氮化硅膜和正銀電極，所述的正銀電極由材料為銀的正銀主柵電極和材料為銀的正銀副柵電極組成，正銀副柵電極與正銀主柵電極相垂直，所述的背電極由材料為銀的背銀主柵電極和材料為鋁的背鋁副柵電極組成，背鋁副柵電極和背銀主柵電極相垂直，所述太陽能電池在背面還開設有開通所述背面氮化硅膜、背面氧化鋁膜后直至P型硅的背面激光開槽區，背面激光開槽區內印刷灌注鋁漿料，形成背鋁條，背鋁副柵電極與背面激光開槽區內的背鋁條一體印刷成型，背鋁副柵電極通過背鋁條與P型硅相連，其特征在于：所述N型硅的正面在進行擴散之后并且在沉積正面氮化硅膜之前通過激光摻雜形成若干條相互平行的激光槽，激光槽采用間距不等的開槽區設計或者寬度不同的開槽區設計，所述激光槽的數量與正銀副柵電極的數量相等，并且一一對應，在刻蝕正面氮化硅膜印刷正銀電極時漿料落在激光槽內，形成所述的正銀副柵電極。

在太陽能電池正銀電極的印刷過程中，網布在刮刀的壓力下沿著垂直于刮刀前進的方向向兩側變形，導致實際印刷到硅片上的正銀電極向外側偏移。

本發明的P型SE-PERC雙面太陽能電池將SE(選擇性發射極技術)和PERC雙面電池技術相結合，是一種新型的太陽能電池，SE中文叫選擇性發射極技術，SE技術是在硅片的正面磷擴散后，以擴散形成的副產物——位于N型硅上方的磷硅玻璃為磷源，通過激光摻雜形成重摻區域，在后續的絲網印刷工序將銀漿印刷在對應的重摻區域內，降低電池的接觸電阻，提高電流的輸出能力；在硅片上重摻雜以外的區域，為輕摻雜區域，可以增強電池的短波響應，提高電池的光電轉換效率。