[發(fā)明專(zhuān)利]一種鑲嵌式石墨烯PN結(jié)的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810759564.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108878268A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫德瑞;侯新祥;柳鴻亮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 山東傲天環(huán)保科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司: | 北京東方盛凡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 牟炳彥 |
| 地址: | 250000 山東省濟(jì)南市歷下*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨烯 鑲嵌式 摻雜 化學(xué)氣相沉積 六邊形 摻雜類(lèi)型 摻雜區(qū)域 結(jié)構(gòu)形成 金屬合金 制作工藝 結(jié)區(qū) 銅襯 掩膜 離子 制造 | ||
本發(fā)明提供了一種鑲嵌式石墨烯PN結(jié)的制造方法,在銅襯底上,通過(guò)掩膜和離子注入結(jié)構(gòu)形成六邊形成不同摻雜類(lèi)型的鑲嵌式金屬合金摻雜結(jié)構(gòu),通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成鑲嵌式石墨烯PN結(jié),使石墨烯PN結(jié)具有較大的結(jié)區(qū)面積,石墨烯PN摻雜區(qū)域的摻雜深度高;制作工藝簡(jiǎn)單。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域,具體涉及一種鑲嵌式石墨烯PN結(jié)的制造方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中的石墨烯PN結(jié),結(jié)區(qū)的面積小,不能充分發(fā)揮石墨烯PN結(jié)的優(yōu)勢(shì),同時(shí)在石墨烯上進(jìn)行注入等方法,不容易形成掩膜,并且不容易摻雜P型與N型原子,如何制造大結(jié)區(qū)面積的石墨烯PN結(jié),并簡(jiǎn)化制造工藝是迫切要解決的技術(shù)難題。
發(fā)明內(nèi)容
基于解決上述問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種鑲嵌式石墨烯PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述方法包括:步驟1)提供銅襯底;步驟2)在所述銅襯底上形成六邊形鑲嵌的第一掩膜圖形;步驟3)在具有掩膜圖形的銅襯底上沉積一層金屬鎳,對(duì)所述金屬鎳進(jìn)行第一類(lèi)型的離子注入;步驟4)進(jìn)行第一退火,形成具有第一類(lèi)型離子的銅鎳合金,對(duì)注入后的銅鎳合金層進(jìn)行減薄,直到漏出掩膜圖形,去除掩膜圖形,形成六邊形的島;步驟5)在具有六邊形的島上再沉積一層鎳;步驟6)在形成第二掩膜圖形,所述第二掩膜圖形覆蓋六邊形的島,暴露出六邊形的島之外的金屬鎳層;步驟7)對(duì)島之外的金屬鎳層進(jìn)行第二類(lèi)型離子的注入;步驟8)去除所述第二掩膜圖形,進(jìn)行第二退火,在六邊形的島周?chē)纬删哂械诙?lèi)型離子的銅鎳合金的鑲嵌結(jié)構(gòu);步驟9)對(duì)銅鎳合金層進(jìn)行拋光形成平整的表面,形成石墨烯沉積襯底;步驟10)在石墨烯沉積襯底通過(guò)化學(xué)氣相沉積形成一層鑲嵌式石墨烯PN結(jié);步驟11)在鑲嵌式石墨烯PN結(jié)上形成電極陣列。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第一類(lèi)型的離子為p型摻雜元素,所述第二類(lèi)型的離子為n型摻雜元素。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第一類(lèi)型的離子為B、S組成的組。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第二類(lèi)型的離子為N、P、As組成的組。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第一類(lèi)型離子在進(jìn)行離子注入時(shí)的劑量為1016-1018,能量為10-20KeV。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第二類(lèi)型離子在進(jìn)行離子注入時(shí)的劑量為1015-1017,能量為5-15KeV。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述第一退火的溫度為850-1000℃,退火時(shí)間為40-80分鐘,所述第二退火的溫度為900-1500℃,退火時(shí)間為30-60分鐘。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,可以使用鉑、鈷、銦的一種或多種,或與鎳形成合金代替沉積鎳使用。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)如下:
(1)本發(fā)明提供的方法制造的石墨烯PN結(jié)具有較大的結(jié)區(qū)面積,能夠提高器件性能;
(2)本發(fā)明提供的方法制造石墨烯PN摻雜區(qū)域的摻雜深度高;
(3)本發(fā)明提供的方法制造的石墨烯PN結(jié)制作工藝簡(jiǎn)單。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明一種鑲嵌式石墨烯PN結(jié)的制造方法工藝步驟圖;
圖2為本發(fā)明一種鑲嵌式石墨烯PN結(jié)所使用的第一掩膜圖形;
圖3為本發(fā)明制備的鑲嵌式石墨烯PN結(jié)平面結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





