[發明專利]一種鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法在審
| 申請號: | 201810759564.1 | 申請日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN108878268A | 公開(公告)日: | 2018-11-23 |
| 發明(設計)人: | 孫德瑞;侯新祥;柳鴻亮 | 申請(專利權)人: | 山東傲天環保科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/04 |
| 代理公司: | 北京東方盛凡知識產權代理事務所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 牟炳彥 |
| 地址: | 250000 山東省濟南市歷下*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 石墨烯 鑲嵌式 摻雜 化學氣相沉積 六邊形 摻雜類型 摻雜區域 結構形成 金屬合金 制作工藝 結區 銅襯 掩膜 離子 制造 | ||
1.一種鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述方法包括:步驟1)提供銅襯底;步驟2)在所述銅襯底上形成六邊形鑲嵌的第一掩膜圖形;步驟3)在具有掩膜圖形的銅襯底上沉積一層金屬鎳,對所述金屬鎳進行第一類型的離子注入;步驟4)進行第一退火,形成具有第一類型離子的銅鎳合金,對注入后的銅鎳合金層進行減薄,直到漏出掩膜圖形,去除掩膜圖形,形成六邊形的島;步驟5)在具有六邊形的島上再沉積一層鎳;步驟6)在形成第二掩膜圖形,所述第二掩膜圖形覆蓋六邊形的島,暴露出六邊形的島之外的金屬鎳層;步驟7)對島之外的金屬鎳層進行第二類型離子的注入;步驟8)去除所述第二掩膜圖形,進行第二退火,在六邊形的島周圍形成具有第二類型離子的銅鎳合金的鑲嵌結構;步驟9)對銅鎳合金層進行拋光形成平整的表面,形成石墨烯沉積襯底;步驟10)在石墨烯沉積襯底通過化學氣相沉積形成一層鑲嵌式石墨烯PN結;步驟11)在鑲嵌式石墨烯PN結上形成電極陣列。
2.根據權利要求1所述的鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述第一類型的離子為p型摻雜元素,所述第二類型的離子為n型摻雜元素。
3.根據權利要求2所述的鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述第一類型的離子為B、S組成的組。
4.根據權利要求2所述的鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述第二類型的離子為N、P、As組成的組。
5.根據權利要求3所述的鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述第一類型離子在進行離子注入時的劑量為1016-1018,能量為10-20KeV。
6.根據權利要求4所述的鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述第二類型離子在進行離子注入時的劑量為1015-1017,能量為5-15KeV。
7.根據權利要求1所述的鑲嵌式石墨烯PN結的制造方法,其特征在于,所述第一退火的溫度為850-1000℃,退火時間為40-80分鐘,所述第二退火的溫度為900-1500℃,退火時間為30-60分鐘。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





