[發明專利]InSb薄膜轉移裝置

在審

• 申請號: 201810758136.7
• 申請日: 2018-07-11
• 公開（公告）號: CN108682646A
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發明（設計）人: 陳意橋;馬棟梁
• 申請（專利權）人: 蘇州焜原光電有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 昆山中際國創知識產權代理有限公司 32311
• 代理人: 盛建德

本發明屬于電子元器件技術領域，涉及一種InSb薄膜轉移裝置，包括依次連接的進樣反轉室、薄膜轉移室以及伸縮壓力裝置；所述薄膜轉移室內設有光學載臺、位于所述光學載臺之上的石英壓塊和驅動所述石英壓塊下壓的第一氣缸；所述進樣反轉室包括能夠伸入所述薄膜轉移室的傳送桿、驅動所述傳送桿的反轉驅動電機、位于所述傳送桿的內側末端的受體吸附臺以及可往所述薄膜轉移室開啟的隔離閥；所述伸縮壓力裝置包括水平的伸縮桿以及設于所述伸縮桿的末端的壓力滾輪。本InSb薄膜轉移裝置能大大減少在生產過程中由于打開腔體和關閉腔體而造成環境破壞，降低重新建立環境的時間，如此便可以極大的縮減生產周期。

技術領域

本發明涉及電子元器件技術領域，特別涉及一種InSb薄膜轉移裝置。

背景技術

InSb薄膜是一種III-VI族化合物半導體薄膜,是目前電子遷移率最高的一種薄膜半導體材料,用該薄膜制做的InSb霍爾元件是磁敏傳感元件中靈敏度最高的,也是磁敏傳感元件中用量最大的一種。主要用于電腦、錄像機、VCD、DVD、汽車、散熱風扇等產品中的無刷直流電機上。具有較高電子遷移率和良好的磁阻特性的InSb薄膜已成為制作半導體磁阻型傳感器的關鍵,同時InSb薄膜也同樣被廣泛應用于高精度的光電存儲、紅外探測和紅外熱成像技術以及超分辨掩膜層技術中，具有十分廣闊的市場前景和發展潛力。

目前,InSb薄膜的轉移的技術是在空氣環境下將InSb薄膜貼敷到涂敷了粘附劑的載體上，并在薄膜上方施加重物壓合，再通過熱板或熱烘箱的方式使其牢固從而實現轉移的目的。此方法主要有以下幾點缺陷：

1、普通的重物壓合過程不能很好的控制壓力的力量，而施加力量的大小對于薄膜轉移質量至關重要。壓力過大極易造成InSb薄膜破損或者受體材料的形變，較小的施壓壓力則會造成薄膜貼合不完全，轉移效果不好，良率偏低的情況。

2、在空氣環境中實施粘合及壓合過程，非常容易造成貼合過程中氣泡殘留的問題，不能完全消除氣泡的影響，如此將直接造成薄膜轉移失敗。

3、利用烘箱或者熱板的加熱方式來實施加熱，過程溫度控制精度低，并且溫度變化范圍較大，容易造成過溫或者低溫的情況，導致薄膜轉移失敗。

4、熱板或烘箱的加熱效率慢，耗費時間較長，兩次薄膜轉移過程需要耗費大量時間用以等待溫度升高及穩定，無法實現大規模量產。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種InSb薄膜轉移裝置，能更好地進行薄膜轉移，加快生產效率。

本發明通過如下技術方案實現上述目的：一種InSb薄膜轉移裝置，包括依次連接的進樣反轉室、薄膜轉移室以及伸縮壓力裝置；所述薄膜轉移室內設有光學載臺、位于所述光學載臺之上的石英壓塊和驅動所述石英壓塊下壓的第一氣缸；所述進樣反轉室包括能夠伸入所述薄膜轉移室的傳送桿、驅動所述傳送桿的反轉驅動電機、位于所述傳送桿的內側末端的受體吸附臺以及可往所述薄膜轉移室開啟的隔離閥，所述受體吸附臺用來將受體送上光學載臺；所述伸縮壓力裝置包括水平的伸縮桿以及設于所述伸縮桿的末端的壓力滾輪，所述壓力滾輪用來將薄膜在受體上抹平。

具體的，所述薄膜轉移室上設有抽真空口。

具體的，所述薄膜轉移室內設有用來調整所述光學載臺高度的第二氣缸。

進一步的，所述第一氣缸和第二氣缸上均設有壓力傳感器。

具體的，所述石英壓塊通過連接關節設置于第一氣缸的主軸上。

具體的，所述伸縮桿上設有用來調節所述壓力滾輪高度的第三氣缸。

具體的，所述光學載臺內設有S型回轉的加熱絲以及位于所述光學載臺中央的熱電偶。

采用上述技術方案，本發明技術方案的有益效果是：