[發(fā)明專利]InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810758136.7 | 申請(qǐng)日: | 2018-07-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN108682646A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳意橋;馬棟梁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州焜原光電有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67 |
| 代理公司: | 昆山中際國(guó)創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32311 | 代理人: | 盛建德 |
| 地址: | 215000 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜轉(zhuǎn)移 薄膜轉(zhuǎn)移裝置 傳送桿 伸縮壓力 伸縮桿 反轉(zhuǎn) 進(jìn)樣 石英 壓塊 載臺(tái) 生產(chǎn)周期 電子元器件 驅(qū)動(dòng) 反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng) 環(huán)境破壞 生產(chǎn)過程 壓力滾輪 依次連接 重新建立 隔離閥 關(guān)閉腔 吸附臺(tái) 氣缸 腔體 伸入 下壓 電機(jī) 室內(nèi) | ||
1.一種InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:包括依次連接的進(jìn)樣反轉(zhuǎn)室、薄膜轉(zhuǎn)移室以及伸縮壓力裝置;所述薄膜轉(zhuǎn)移室內(nèi)設(shè)有光學(xué)載臺(tái)、位于所述光學(xué)載臺(tái)之上的石英壓塊和驅(qū)動(dòng)所述石英壓塊下壓的第一氣缸;所述進(jìn)樣反轉(zhuǎn)室包括能夠伸入所述薄膜轉(zhuǎn)移室的傳送桿、驅(qū)動(dòng)所述傳送桿的反轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)電機(jī)、位于所述傳送桿的內(nèi)側(cè)末端的受體吸附臺(tái)以及可往所述薄膜轉(zhuǎn)移室開啟的隔離閥,所述受體吸附臺(tái)用來將受體送上光學(xué)載臺(tái);所述伸縮壓力裝置包括水平的伸縮桿以及設(shè)于所述伸縮桿的末端的壓力滾輪,所述壓力滾輪用來將薄膜在受體上抹平。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述進(jìn)樣反轉(zhuǎn)室上設(shè)有第一抽真空口。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述薄膜轉(zhuǎn)移室上設(shè)有第二抽真空口。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述薄膜轉(zhuǎn)移室內(nèi)設(shè)有用來調(diào)整所述光學(xué)載臺(tái)高度的第二氣缸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述第一氣缸和第二氣缸上均設(shè)有壓力傳感器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述石英壓塊通過連接關(guān)節(jié)設(shè)置于第一氣缸的主軸上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述伸縮桿上設(shè)有用來調(diào)節(jié)所述壓力滾輪高度的第三氣缸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的InSb薄膜轉(zhuǎn)移裝置,其特征在于:所述光學(xué)載臺(tái)內(nèi)設(shè)有S型回轉(zhuǎn)的加熱絲以及位于所述光學(xué)載臺(tái)中央的熱電偶。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





