[發(fā)明專利]一種用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810750796.0
• 申請日: 2018-07-10
• 公開（公告）號: CN108842177A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭秋泉;趙呈春;楊軍
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳拓?fù)渚た萍加邢薰?/a>
• 主分類號: C25D11/04
• 分類號: C25D11/04
• 代理公司: 北京聯(lián)創(chuàng)佳為專利事務(wù)所(普通合伙) 11362
• 代理人: 郭防;吳元元

本發(fā)明涉及陽極氧化鋁多孔膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架。它包括基底、前蓋板、支架底座和導(dǎo)電組件，基底經(jīng)前蓋板和支架底座固定，導(dǎo)電組件設(shè)置于支架底座上，基底和導(dǎo)電組件連接，前蓋板上還貫穿開設(shè)有通孔A。它結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，對基底的固定效果好，密封性能良好，能防止電解液對導(dǎo)電組件的腐蝕，并且整體為裝配式結(jié)構(gòu)，沒有任何膠水或粘接結(jié)構(gòu)，易于拆裝和更換零部件，有利于裝置長期有效使用。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及陽極氧化鋁多孔膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架。

背景技術(shù)

AAO多孔納米模板是陽極氧化鋁模板的一種，具有孔高度均勻分布、孔徑統(tǒng)一、孔形可控和表面積大等優(yōu)點，具有良好的市場應(yīng)用前景。以雙通AAO為模板，通過電化學(xué)沉積法，可以方便地制備高長徑比的、高密度的金屬納米線。重要的是，為了保證納米線只在模板內(nèi)部的納米孔內(nèi)生長，必須對模板進(jìn)行有效的密封，而僅在電解液中露出需要反應(yīng)的部分。另外為了保證納米線生長過程的均勻性，需要充分考慮結(jié)構(gòu)對液體流動性的影響。目前的AAO多孔納米模板在進(jìn)行制備的過程中，由于沒有合適的標(biāo)準(zhǔn)固定支撐的支架，研究人員自制的機構(gòu)復(fù)雜而且不適用，用于制備AAO多孔納米模板的基底由于厚度較薄易發(fā)生斷裂，并且密封性能差，常發(fā)生電解液的酸液滲透，對與基底連接的導(dǎo)線造成腐蝕，使得裝置不能長期有效的使用，不利于大面積產(chǎn)業(yè)化的應(yīng)用。因此需要設(shè)計一種新的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架作為AAO多孔納米模板制備時的載體，并可應(yīng)用于其它氧化鋁模板的制備。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，對基底的固定效果好，密封性能良好，能防止電解液對導(dǎo)電組件的腐蝕，并且整體為裝配式結(jié)構(gòu)，沒有任何膠水或粘接結(jié)構(gòu)，易于拆裝和更換零部件，有利于裝置長期有效使用。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案：

一種用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，包括基底、前蓋板、支架底座和導(dǎo)電組件，所述基底經(jīng)前蓋板和支架底座固定，所述導(dǎo)電組件設(shè)置于支架底座上，所述基底和導(dǎo)電組件連接，所述前蓋板上還貫穿開設(shè)有通孔A。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述支架底座上開設(shè)有安裝槽、階梯槽和通孔B，所述階梯槽位于安裝槽上部，所述基底設(shè)置于安裝槽中，所述階梯槽中還設(shè)置有密封圈，所述密封圈一面與基底、階梯槽底部接觸，另一面與前蓋板接觸，所述通孔B貫穿開設(shè)于安裝槽中，所述基底經(jīng)通孔B與導(dǎo)電組件連接。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述支架底座側(cè)面還一體成型有固定桿，所述支架底座和固定桿上還開設(shè)有與通孔B連接的導(dǎo)電線槽，所述導(dǎo)電線槽位于遠(yuǎn)離前蓋板的一側(cè)，所述導(dǎo)電線槽自通孔B處開設(shè)至固定桿頂部，所述導(dǎo)電線槽上還設(shè)置有背面密封條。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述導(dǎo)電組件包括導(dǎo)電金屬塊和導(dǎo)電金屬條，所述導(dǎo)電金屬塊設(shè)置于通孔B中，所述導(dǎo)電金屬塊一面與基底接觸，另一面還連接有導(dǎo)電金屬條，所述導(dǎo)電金屬條設(shè)置于導(dǎo)電線槽中。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述導(dǎo)電組件還包括導(dǎo)電金屬墊片，所述導(dǎo)電金屬墊片設(shè)置于安裝槽底部，所述導(dǎo)電金屬墊片一面與基底接觸，另一面與導(dǎo)電金屬塊接觸。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述導(dǎo)電組件為導(dǎo)線，所述導(dǎo)線經(jīng)導(dǎo)電線槽和通孔B與基底連接。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述通孔B開設(shè)于安裝槽的中心。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，還包括固定螺絲，所述前蓋板和支架底座經(jīng)固定螺絲連接。

前述的用于制備納米材料的電化學(xué)沉積支架，所述通孔A遠(yuǎn)離支架底座的一端開設(shè)有倒角。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益之處在于：