[發明專利]一種用于制備納米材料的電化學沉積支架

在審

• 申請號: 201810750796.0
• 申請日: 2018-07-10
• 公開（公告）號: CN108842177A
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: 郭秋泉;趙呈春;楊軍
• 申請（專利權）人: 深圳拓撲精膜科技有限公司
• 主分類號: C25D11/04
• 分類號: C25D11/04
• 代理公司: 北京聯創佳為專利事務所(普通合伙) 11362
• 代理人: 郭防;吳元元

1.一種用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，包括基底(1)、前蓋板(2)、支架底座(3)和導電組件(4)，所述基底(1)經前蓋板(2)和支架底座(3)固定，所述導電組件(4)設置于支架底座(3)上，所述基底(1)和導電組件(4)連接，所述前蓋板(2)上還貫穿開設有通孔A(5)。

2.根據權利要求1所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述支架底座(3)上開設有安裝槽(6)、階梯槽(7)和通孔B(8)，所述階梯槽(7)位于安裝槽(6)上部，所述基底(1)設置于安裝槽(6)中，所述階梯槽(7)中還設置有密封圈(9)，所述密封圈(9)一面與基底(1)、階梯槽(7)底部接觸，另一面與前蓋板(2)接觸，所述通孔B(8)貫穿開設于安裝槽(6)中，所述基底(1)經通孔B(8)與導電組件(4)連接。

3.根據權利要求2所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述支架底座(3)側面還一體成型有固定桿(10)，所述支架底座(3)和固定桿(10)上還開設有與通孔B(8)連接的導電線槽(11)，所述導電線槽(11)位于遠離前蓋板(2)的一側，所述導電線槽(11)自通孔B(8)處開設至固定桿(10)頂部，所述導電線槽(11)上還設置有背面密封條(12)。

4.根據權利要求3所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述導電組件(4)包括導電金屬塊(13)和導電金屬條(14)，所述導電金屬塊(13)設置于通孔B(8)中，所述導電金屬塊(13)一面與基底(1)接觸，另一面還連接有導電金屬條(14)，所述導電金屬條(14)設置于導電線槽(11)中。

5.根據權利要求4所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述導電組件(4)還包括導電金屬墊片(15)，所述導電金屬墊片(15)設置于安裝槽(6)底部，所述導電金屬墊片(15)一面與基底(1)接觸，另一面與導電金屬塊(13)接觸。

6.根據權利要求3所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述導電組件(4)為導線，所述導線經導電線槽(11)和通孔B(8)與基底(1)連接。

7.根據權利要求5或6所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述通孔B(8)開設于安裝槽(6)的中心。

8.根據權利要求7所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，還包括固定螺絲(16)，所述前蓋板(2)和支架底座(3)經固定螺絲(16)連接。

9.根據權利要求1所述的用于制備納米材料的電化學沉積支架，其特征在于，所述通孔A(5)遠離支架底座(3)的一端開設有倒角。