[發(fā)明專利]電磁屏蔽膜、線路板及電磁屏蔽膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810743864.0 | 申請日： | 2018-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN110691503A | 公開（公告）日： | 2020-01-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 蘇陟 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K9/00 | 分類號： | H05K9/00;H05K1/02;C09J7/20;C09J9/02;B32B33/00;B32B7/06 |
| 代理公司： | 44202 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 梁順宜;郝傳鑫 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電磁屏蔽膜 膠膜層 屏蔽層 線路板 揮發(fā)物 地層 導(dǎo)體顆粒 通孔 電子技術(shù)領(lǐng)域 起泡 平整表面 上下表面 電荷 接地 刺穿 導(dǎo)出 分層 排出 凸?fàn)?/a> 排氣 制備 剝離 貫穿 | ||
1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括屏蔽層和膠膜層，所述膠膜層設(shè)于所述屏蔽層上；所述屏蔽層上設(shè)有貫穿其上下表面的通孔，所述屏蔽層靠近所述膠膜層的一面為平整表面，所述屏蔽層靠近所述膠膜層的一面上設(shè)有凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述導(dǎo)體顆粒的高度為0.1μm-30μm。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述膠膜層的厚度為1μm-80μm。
4.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述膠膜層包括含有導(dǎo)電粒子的黏著層；或，所述膠膜層包括不含導(dǎo)電粒子的黏著層。
5.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括保護膜層，所述保護膜層設(shè)于所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述膠膜層的一面上。
6.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述通孔的面積為0.1μm2-1mm2。
7.如權(quán)利要求1-3任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，每平方厘米所述屏蔽層中的所述通孔的個數(shù)為10-1000個。
8.一種線路板，其特征在于，包括線路板本體以及如權(quán)利要求1-7任一項所述的電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜通過所述膠膜層與所述線路板本體相壓合，所述導(dǎo)體顆粒刺穿所述膠膜層并與所述線路板本體的地層電連接。
9.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
形成屏蔽層；其中，所述屏蔽層上形成有貫穿其上下表面的通孔，所述屏蔽層的一面為平整表面；
在所述屏蔽層的平整表面上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒；
在所述屏蔽層形成有導(dǎo)體顆粒的一面上形成膠膜層。
10.如權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述電磁屏蔽膜的制備方法還包括：
在所述屏蔽層遠(yuǎn)離所述膠膜層的一面上形成保護膜層。
11.如權(quán)利要求9所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述形成屏蔽層具體包括：
在載體膜上形成保護膜層；
在所述保護膜層上形成屏蔽層；或，
在帶載體的可剝離層表面形成屏蔽層；
在所述屏蔽層上形成保護膜層；
將所述帶載體的可剝離層剝離。
12.如權(quán)利要求9-11任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述屏蔽層的平整表面上形成凸?fàn)畹膶?dǎo)體顆粒具體包括：
通過物理打毛、化學(xué)鍍、物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、蒸發(fā)鍍、濺射鍍、電鍍和混合鍍中的一種或多種工藝在所述屏蔽層的平整表面上形成導(dǎo)體顆粒。
13.如權(quán)利要求9-11任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述屏蔽層形成有導(dǎo)體顆粒的一面上形成膠膜層，具體為：
在離型膜上涂布膠膜層；
將所述膠膜層壓合轉(zhuǎn)移至所述屏蔽層形成有導(dǎo)體顆粒的一面上；或，
在所述屏蔽層形成有導(dǎo)體顆粒的一面上涂布膠膜層。
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