[發明專利]電磁屏蔽膜、線路板及電磁屏蔽膜的制備方法

在審

• 申請號: 201810743744.0
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN110691502A
• 公開（公告）日: 2020-01-14
• 發明（設計）人: 蘇陟
• 申請（專利權）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;H05K1/02;B32B33/00;B32B3/08
• 代理公司: 44202 廣州三環專利商標代理有限公司
• 代理人: 梁順宜;郝傳鑫

1.一種電磁屏蔽膜，其特征在于，包括第一屏蔽層、第二屏蔽層和膠膜層，所述第一屏蔽層靠近所述第二屏蔽層的一面為非平整表面，所述第一屏蔽層靠近所述第二屏蔽層的一面上設有凸狀的導體顆粒，所述第二屏蔽層設于所述第一屏蔽層上并包覆所述導體顆粒，所述第二屏蔽層遠離所述第一屏蔽層的一面為非平整表面，所述膠膜層設于所述第二屏蔽層上。

2.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面包括多個凸部和多個凹陷部，多個所述凸部和多個所述凹陷部間隔設置。

3.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二屏蔽層靠近所述膠膜層的一面上設有凸狀的導體顆粒。

4.如權利要求1所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括N個第三屏蔽層，N個所述第三屏蔽層設于所述第二屏蔽層和所述膠膜層之間；其中，N大于或等于1。

5.如權利要求4所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，每一所述第三屏蔽層靠近所述膠膜層的一面上設有凸狀的導體顆粒。

6.如權利要求1-5任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述第二屏蔽層的厚度為0.1μm-45μm，所述膠膜層的厚度為1μm-80μm。

7.如權利要求1-5任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述膠膜層包括含有導電粒子的黏著層；或，所述膠膜層包括不含導電粒子的黏著層。

8.如權利要求1-5任一項所述的電磁屏蔽膜，其特征在于，所述電磁屏蔽膜還包括保護膜層，所述保護膜層連接在所述第一屏蔽層遠離所述膠膜層的一面上。

9.一種線路板，其特征在于，包括線路板本體以及如權利要求1-8任一項所述的電磁屏蔽膜，所述電磁屏蔽膜通過所述膠膜層與所述線路板本體相壓合；所述第二屏蔽層刺穿所述膠膜層并與所述線路板本體的地層電連接。

10.一種電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成第一屏蔽層；其中，所述第一屏蔽層的一面為非平整表面；

在所述第一屏蔽層的非平整表面上形成凸狀的導體顆粒，

在所述第一屏蔽層形成有導體顆粒的一面上形成第二屏蔽層；其中，所述第二屏蔽層包覆所述導體顆粒，所述第二屏蔽層的遠離所述第一屏蔽層的一面為非平整表面；

在所述第二屏蔽層的非平整表面上形成膠膜層。

11.如權利要求10所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第一屏蔽層形成有導體顆粒的一面上形成第二屏蔽層后還包括：

在所述第二屏蔽層上形成凸狀的導體顆粒。

12.如權利要求10所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，在所述第二屏蔽層上形成膠膜層具體包括：

在所述第二屏蔽層上形成N個第三屏蔽層；其中，N大于或等于1；

在所述N個第三屏蔽層上形成膠膜層。

13.如權利要求12所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，每一所述第三屏蔽層靠近所述膠膜層的一面上形成有凸狀的導體顆粒。

14.如權利要求10-13任一項所述的電磁屏蔽膜的制備方法，其特征在于，所述電磁屏蔽膜的制備方法還包括：

在所述第一屏蔽層遠離所述膠膜層的一面上形成保護膜層。