[發明專利]用于半導體封裝元件解封的腐蝕液組合物

在審

• 申請號: 201810738359.7
• 申請日: 2018-07-06
• 公開（公告）號: CN108899276A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 陳一;陳慨;王娟
• 申請（專利權）人: 無錫通芝微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/67
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

本申請涉及一種用于半導體封裝元件解封的腐蝕液組合物，其中所述腐蝕液組合物由發煙硝酸與濃硫酸依照體積比為約5:1的比例組成。本申請藉由所述腐蝕液組合物在半導體封裝元件解封過程中控制其刻蝕程度，能夠更完整地去除包覆在半導體封裝元件外的封裝材料使其芯片表面清晰暴露，同時完整地保護內部的打線結構，從而不影響對打線結構進行焊線強度測定的結果。

技術領域

本申請涉及半導體封裝元件檢測的領域，特別是涉及一種用于除去半導體封裝元件外部封裝材料的腐蝕液的化學組合物。

背景技術

以下說明及實例并不由于其包含于此章節中而被認為是現有技術。

在對半導體封裝元件進行失效分析時，多半采用的是運用化學腐蝕液對包覆在半導體封裝元件外的封裝材料(例如，環氧樹脂)進行解封，以除去包覆的包覆層并使半導體封裝元件中的芯片及打線結構露出，從而對露出的芯片及打線結構進行觀察分析及失效分析。

使用含發煙硝酸的腐蝕液對半導體封裝元件進行刻蝕時，雖然可以去除包覆在芯片及打線結構外的包覆層，但同時也會腐蝕半導體封裝元件中的打線結構，使得打線結構無法保留或損壞，從而無法對打線結構的連結狀態進行焊接強度測試。

發明內容

本申請實施例通過提供一種腐蝕液的化學組合物，以試圖將至少一種存在于相關領域中的問題解決到至少某種程度上。

根據本申請的實施例，提供了一種用于半導體封裝元件解封的腐蝕液組合物，其中，所述腐蝕液組合物由發煙硝酸與濃硫酸依照體積比為約5:1的比例組成。

在本申請的部分實施例中，所述濃硫酸中的硫酸濃度至少為98％以上。

在本申請的部分實施例中，所述發煙硝酸中的硝酸濃度至少為95％以上。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件中的打線的主要材料為銅。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件中的打線的寬度為約25μm。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件中的包覆層包括環氧樹脂。

根據本申請的另一實施例，提供了一種半導體封裝元件解封方法，其包括將半導體封裝元件浸入腐蝕液組合物中，其中所述腐蝕液組合物由發煙硝酸與濃硫酸依照體積比為約5:1的比例組成。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件解封方法進一步包括在將半導體封裝元件浸入腐蝕液組合物之前，先將所述腐蝕液組合物加熱到約90℃-100℃。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件浸入所述腐蝕液組合物中的浸泡時間為約1分鐘至約5分鐘。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件解封方法進一步包括在將所述半導體封裝元件浸入所述腐蝕液組合物之前，打磨所述半導體封裝元件的窗口。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件解封方法進一步包括在將所述半導體封裝元件浸入所述腐蝕液組合物中的步驟后，使用常溫發煙硝酸清洗所述半導體封裝元件；隨后將所述半導體封裝元件依序通過第一次清水清洗、超音波清洗及第二次清水清洗。

在本申請的部分實施例中，所述半導體封裝元件解封方法進一步包括將清洗后的所述半導體封裝元件通過脫水劑進行脫水。

本申請實施例的額外層面及優點將部分地在后續說明中描述、顯示、或是經由本申請申請實施例的實施而闡釋。

附圖說明

在下文中將簡要地說明為了描述本申請實施例或現有技術所必要的附圖以便于描述本申請的實施例。顯而易見地，下文描述中的附圖僅只是本申請中的部分實施例。對本領域技術人員而言，在不需要創造性勞動的前提下，依然可以根據這些附圖中所例示的結構來獲得其他實施例的附圖。